[发明专利]光伏电池片及相应的网版与方阻和/或接触电阻率的测量方法

权利要求书

1.一种用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，其特征在于，所述光伏电池片表面包括M个由内至外设置的测试区域，每个测试区域内至少设置一组由N条矩形电极以平行间隔方式排布的测试电极；

其中，M≥2；N≥3。

2.根据权利要求1所述的用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，其特征在于，所述M个测试区域由内至外依次相邻设置，第一个测试区域为口字形组成的测试区域，第二个测试区域至第M个测试区域均为回字形组成的环形的测试区域。

3.根据权利要求2所述的用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，其特征在于，所述M个测试区域的面积相等。

4.根据权利要求3所述的用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，其特征在于，所述M个测试区域的边缘轮廓为正方形。

5.根据权利要求4所述的用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，其特征在于，第m个测试区域的外边框的边长为其中，L_c为光伏电池片的边长。

6.根据权利要求1-5任一项所述的用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，其特征在于，不同测试区域内的测试电极至少以所述光伏电池片的一条对称轴对称设置。

7.根据权利要求1-5任一项所述的用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，其特征在于，所述矩形电极的宽度为0.1-2mm；

优选地，所述矩形电极的长度小于所述测试区域的边界；

优选地，所述矩形电极的间距为0.2-100mm；

优选地，所述矩形电极的间距之差为0.2-20mm；

优选地，所述矩形电极的数量为4-20。

8.一种网版，其特征在于，所述网版的印刷图形与权利要求1-7任一项所述的光伏电池片的图形相匹配。

9.一种方阻和/或接触电阻率的测量方法，其特征在于，利用权利要求1-7任一项中的测试电极分别测量每个对应测试区域内的方阻和/或接触电阻率，测量后取平均值得到光伏电池片的方阻和/或接触电阻率；

或，

利用权利要求1-7任一项中的测试电极分别测量每个对应测试区域内的接触电阻率，然后利用公式M/ρ_c＝1/ρ_c1+1/ρ_c2+1/ρ_c3+1/ρ_c4+……1/ρ_cM，计算得到整片电池片的接触电阻率ρ_c，ρ_c1、ρ_c2、ρ_c3、ρ_c4、……ρ_cM分别对应每个测试区域的平均接触电阻率。

10.根据权利要求9所述的方阻和/或接触电阻率的测量方法，其特征在于，测试前将每组测试电极对应的区域用激光切片的方法沿矩形电极的长度方向的边缘切开，然后再进行方阻和/或接触电阻率的测量。