[发明专利]感光像素单元、图像传感器及制造方法在审
| 申请号： | 201711323831.2 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108091664A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 万贺;方桂芹;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/374;H04N9/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 感光像素 主光电二极管 光电二极管 图像传感器 电致发光 参考 衬底 半导体 制造 | ||
1.一种感光像素单元，其特征在于，包括：
在半导体衬底中形成的主光电二极管和参考光电二极管；以及
位于主光电二极管正上方而不位于参考光电二极管正上方的电致发光部。
2.根据权利要求1所述的感光像素单元，其特征在于，电致发光部包括阳极、阴极、以及位于阳极和阴极之间的电致发光膜。
3.根据权利要求2所述的感光像素单元，其特征在于，阴极包括金属或合金，阳极包括ITO。
4.根据权利要求1所述的感光像素单元，其特征在于，还包括位于电致发光部上方的单向反射膜，所述单向反射膜将电致发光部发出的光反射到主光电二极管并且允许来自外部的光透射通过。
5.根据权利要求2所述的感光像素单元，其特征在于，电致发光膜包括全色电致发光材料。
6.根据权利要求2所述的感光像素单元，其特征在于，电致发光膜包括掺杂Cu的ZnS材料。
7.根据权利要求1所述的感光像素单元，其特征在于，还包括：
位于主光电二极管正上方的第一微透镜和位于参考光电二极管正上方的第二微透镜，
其中电致发光部位于第一微透镜上并与第一微透镜直接接触。
8.根据权利要求1所述的感光像素单元，其特征在于，所述感光像素单元包括四个主光电二极管和一个参考光电二极管，其中该参考光电二极管包围该四个主光电二极管。
9.根据权利要求1所述的感光像素单元，其特征在于，还包括：
位于主光电二极管正上方的滤色器；
位于滤色器正上方的第一微透镜和位于参考光电二极管正上方的第二微透镜，
其中电致发光部位于滤色器与第一微透镜之间并且与滤色器直接接触。
10.根据权利要求2所述的感光像素单元，其特征在于，还包括阴极连线和阳极连线，阴极连线和阳极连线分别布置在主光电二极管周围的两个穿通孔中，并且分别将位于主光电二极管上方的阴极和阳极连接到位于主光电二极管下方的金属线。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
