[发明专利]基于硫化铅包覆钙钛矿量子点的电致发光LED及制备方法

权利要求书

1.一种基于硫化铅包覆钙钛矿量子点的电致发光LED，其特征在于：

采用PbS包覆钙钛矿量子点改善其光电性能和稳定性，并以此量子点材料作为发光层制备钙钛矿量子点电致发光LED；所述PbS包覆的钙钛矿量子点LED的结构包括：ITO玻璃作为底部电极；n型ZnO/聚乙烯亚胺作为电子传输层和空穴阻挡层；PbS包覆的钙钛矿量子点作为发光层；p型4,4’，4”-三（咔唑-9-基）苯胺薄膜作为空穴传输层和电子阻挡层；MoO₃/Au作为顶部电极。

2.如权利要求1所述的一种基于硫化铅包覆钙钛矿量子点电致发光LED的制备方法，具体步骤如下：

第一步、制备PbS包覆的CsPbI₃量子点，具体步骤如下：

将硫代乙酰胺加入油胺中获得硫前驱体，将十八烷烯和 PbI₂加到三颈瓶中，在真空、120˚С下脱气和干燥1小时，在这个温度下，将干燥过的油酸和硫前驱体注入到三颈瓶中，溶液变得清晰后，温度升高到160˚С，并迅速注入铯油酸溶液，5s后，采用冰水浴将反应混合物冷却至室温,获得PbS包覆的CsPbI₃量子点；

第二步、先后用肥皂、去离子水、乙醇、氯仿、丙酮、异丙醇仔细清洗ITO导电玻璃，并进行紫外臭氧处理，ITO作为底部电极；

第三步、以每分钟1000转的转速，将ZnO量子点溶液旋涂在ITO玻璃上，旋涂时间是1分钟，然后在空气中以150˚С的温度退火10分钟，得到ZnO量子点薄膜；再将上述薄膜转移到N₂手套箱中，在110˚С的温度下，以每分钟3000转的转速将溶解在2-甲氧基乙醇溶液中的PEI旋涂在ZnO薄膜上，时间是10分钟，ZnO/PEI层作为电子传输层和空穴阻挡层；

第四步、以每分钟1000转的速度，将制备好的PbS包覆CsPbI₃量子点旋涂在ZnO/PEI层上，旋涂时间是1分钟，作为发光层；

第五步、将上一步获得的结构转移到真空度为1×10^-7 torr的真空腔内，依次通过热蒸发沉积TCTA、MoO₃和Au薄膜层，其中TCTA层作为空穴传输层和电子阻挡层，MoO₃/Au层作为顶部电极；由此获得PbS包覆钙钛矿量子点电致发光LED。