[发明专利]一种室温拓扑绝缘体太赫兹探测器及制备方法

权利要求书

1.一种室温拓扑绝缘体太赫兹探测器，包括衬底(1)，氧化物层(2)、拓扑绝缘体(3)、对数周期天线(4)、金属源极(5)和金属漏极(6)，其特征在于，

所述探测器的结构自下而上依次为：衬底(1)、氧化层(2)、拓扑绝缘体(3)、在拓扑绝缘体上层是对数周期天线(4)、金属源极(5)、金属漏极(6)；其中：

所述的衬底(1)为低掺杂的Si衬底；厚度为0.3-0.5毫米；

所述的氧化物层(2)为SiO₂，厚度300±10纳米；

所述的拓扑绝缘体(3)为硒化铋薄膜，沟道长度从2微米到6微米，厚度从10纳米到60纳米；

所述的对数周期天线(4)外径4毫米，角度为50°，下层Cr的厚度为5-15纳米，上层Au的厚度为60-80纳米；

所述的金属源极(5)和金属漏极(6)为Cr和Au电极，下层Cr的厚度为5-15纳米，上层Au的厚度为60-80纳米。

2.一种制备如权利要求1所述的室温拓扑绝缘体探测器的方法，其特征在于包括以下步骤：

1)通过热氧化法在衬底(1)上制备氧化物层(2)；

2)通过机械剥离方法将硒化铋薄膜(3)转移至氧化物层(2)的表面；

3)采用紫外光刻技术或者电子束曝光技术，结合热蒸发及传统剥离工艺在制备对数周期天线(4)金属源极(5)和金属漏极(6)，形成硒化铋薄膜半导体场效应结构器件，电极为铬、金，厚度分别为5-15纳米，60-80纳米。