[发明专利]半导体功率器件的制作方法

权利要求书

1.一种半导体功率器件的制作方法，其特征在于，包括：

在N型衬底形成N型外延层，并在所述N型外延层表面依次形成栅氧化层和多晶硅层；

对所述多晶硅层进行不完全刻蚀，以在未刻蚀区域保留多晶硅层，并在刻蚀区域形成多晶硅薄层；

通过所述多晶硅薄层对所述N型外延层进行P-注入，来在所述N型外延层表面形成P-体区；

通过所述多晶硅薄层对所述P-体区进行N+型注入，来在所述P-体区形成N+源区；

对所述多晶硅层进行氧化处理，其中所述多晶硅薄层被完全氧化成氧化层，并通过所述氧化层对所述P-体区进行P+注入，以在所述N+源区周围形成P+区；

所述多晶硅层进行不完全刻蚀的步骤包括：

选择性地对预定的刻蚀区域的多晶硅层进行不完全刻蚀处理，其中所述刻蚀区域的多晶硅层保留一部分多晶硅材料而形成多晶硅薄层，其中，所述多晶硅薄层的厚度为0.01～0.10µm ；

通过所述多晶硅薄层对所述P-体区进行N+型注入的步骤包括：

在所述多晶硅薄层表面的预定位置涂覆光刻胶；

通过所述多晶硅薄层对所述P-体区进行N+型注入，在所述N+注入过程中，所述多晶硅薄层表面除了被所述光刻胶遮挡的区域以外，所述注入离子直接通过所述多晶硅薄层及其下方的栅氧化层注入到所述P-体区，从而在所述P-体区中未被所述光刻胶遮挡的区域形成N+源区；

所述多晶硅层在经过氧化处理之后其表面形成氧化层，所述多晶硅薄层也被氧化而形成氧化层，其中所述氧化层的厚度为0.02～0.20µ m；

其中，所述P+注入过程直接利用所述多晶硅层侧壁的氧化层做阻挡并直接通过所述P-体区表面的氧化层进行P+离子注入，从而在所述P-体区中所述N+源区的周围形成P+区。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅氧化层在900～1100℃的温度条件下对所述N型外延层进行氧化处理得到，且其厚度为0.05～0.20µ m；所述多晶硅层在500～900℃的温度条件下在所述栅氧化层制作而成，且其厚度为0.3～1.0µ m。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过所述多晶硅薄层进行P-注入的离子为硼离子，所述硼离子的注入剂量为1.0¹⁴～1.0¹⁵个/cm，且其注入能量为100KEV～300KEV。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述硼离子注入到所述N型外延层之后通过驱入处理使得所述硼离子在所述N型外延层进行扩展而形成所述P-体区，其中所述驱入处理的驱动温度为1100～1200℃，而驱入时间为50～200分钟。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N+型注入的注入离子为磷离子，所述磷离子的注入剂量为1.0¹³～1.0¹⁴个/cm，且其注入能量为100KEV～300KEV。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

将所述栅氧化层和所述氧化层进行刻蚀处理，以在所述P+区表面的形成接触孔，且所述接触孔延伸到所述N+源区表面。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述氧化层表面以及所述N型衬底背面分别形成正面金属层和背面金属层，其中，所述正面金属层直接利用所述氧化层来作为所述多晶硅层表面的介质层，所述正面金属层通过所述接触孔与所述N+源区和所述P+区相接触。