[发明专利]具有集成功率放大器的互补金属氧化物硅片收发器

说明书

本揭示涉及一种具有集成功率放大器的互补金属氧化物硅片收发器。本发明实施例提供的具有集成功率放大器的互补金属氧化物硅片收发器可根据通信环境控制输出功率，以便消除如下因素：随着功率放大器的输出电平变大，杂讯跟随功率流入到收发器的其他模块而再次作为功率放大器的输入，从而性能下降。

技术领域

本发明的实施例涉及一种具有集成功率放大器的互补金属氧化物硅片(Complementary Metal Oxide Silicon，CMOS)收发器。

背景技术

以下所记载的内容仅提供与本发明实施例相关的背景信息，并不构成现有技术。

最近在制造的无线收发器(Wireless Transceiver)的大部分模块(Block)是使用CMOS工序制造成单芯片。

然而，无线收发器的多个模块中的功率放大器(Power Amplifier，PA)因其性能而使用InGaP/GaAs HBT(Hetero-junction Bipolar Transistor，异质接面双极晶体管)工序另行实现(制造)。InGAP/GaAs HBT工序需要高于CMOS工序的制造费用。

因工序差异使得收发器与功率放大器实现为多芯片而非单芯片。为了匹配(Matching)收发器与功率放大器此两种芯片，需要另外的零件。因此，越来越多研究都朝向通过CMOS工序制造功率放大器后再内置到收发器进行的趋势。

如果在无线通信系统(Wireless Communication System)中使用功率放大器的最大输出电平，则可实现更远距离的通行。因此，收发器基本上是以在功率放大器的最大输出电平下最大限度地发挥功率效率的方式设计。然而，根据通信环境，如果是实现在更短距离的通信的环境，则可以在较低的输出电平下进行通信。在上述过程中，功率放大器在最大输出功率下功率效率良好，但在较低的输出电平下无法改善功率效率，故需要低功率模式(Low Power Mode)。

难以将无线收发器所包括的多个模块中的功率放大器内置(制造)成一个芯片的最大因素如下：随着功率放大器的输出电平变大，杂讯(Noise)跟随功率流入到收发器的其他模块而再次作为功率放大器的输入，从而性能下降。因此，需要用于消除上述性能下降因素的收发器。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种具有集成功率放大器的互补金属氧化物硅片收发器，其可根据通信环境而控制输出功率，以便消除如下因素：随着功率放大器的输出电平变大，杂讯跟随功率流入到收发器的其他模块而再次作为功率放大器的输入，从而性能下降。

根据本发明实施例的一种实施方式，提供一种发送器，其特征在于包括：电源部，输出直流-直流电压或电池电压；混频器，从同相输入端子以及正交输入端子接收本地振荡器信号作为差分输入，之后以通过上混频向上转换频率所得的混频信号作为输出；驱动放大器，连接到所述混频器的输出端而接收所述混频信号，接收所述直流-直流电压或所述电池电压作为电源而以放大所述混频信号所得的驱动信号作为输出；以及功率放大器，包括连接到所述驱动放大器的输出端的第一功率放大器及第二功率放大器，所述功率放大器接收所述直流-直流电压或所述电池电压作为电源，并将输入至所述第一功率放大器与所述第二功率放大器的所述驱动信号予以放大，放大所得的功率信号以平衡-不平衡转换器的形态输出。

如上所述，根据本发明的实施例，为了提高相当于功率放大器的输入的驱动放大器的电源杂讯去除性能(PSRR，Power Supply Rejection Ratio)，在驱动放大器的电源中内置低压差稳压器(LDO，Low Drop Out)，由此消除如下因素而将无线收发器所包括的多个模块中的功率放大器制造成一个芯片：随着功率放大器的输出电平变大，杂讯跟随电源及芯片封装体的键合线电感流入到收发器的其他模块而再次作为功率放大器的输入，从而性能下降。