[发明专利]一种电子面单在审
申请号: | 201711325280.3 | 申请日: | 2017-12-13 |
公开(公告)号: | CN107944537A | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 罗艳 | 申请(专利权)人: | 四川九鼎智远知识产权运营有限公司 |
主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077;G06K19/07 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司51214 | 代理人: | 詹永斌 |
地址: | 610041 四川省成都市高新*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电子 | ||
1.一种电子面单,其特征在于:包括本体,所述本体内为空腔结构;所述空腔中设有NFC标签;所述NFC标签包括NFC芯片,以及与NFC芯片连接的天线。
2.如权利要求1所述的电子面单,其特征在于:所述NFC芯片包括射频前端、模拟前端、数字基带单元及储存单元;所述射频前端,用于将天线中接收到的信号转换为直流信号为芯片提供电源,并提取工作信号;所述模拟前端,用于为芯片供应稳定的电压以及对射频前端所得的包络信号进行操作处理;所述数字基带单元,用于从模拟前端接收到的信息进行处理后输出对射频前端、模拟前端以及自身的控制信号。
3.如权利要求1所述的电子面单,其特征在于:所述射频前端包括整流电路、稳压电路和调制解调电路;所述稳压电路采用低压差线性稳压器。
4.如权利要求3所述的电子面单,其特征在于:所述整流电路包括两个NMOS管、两个PMOS管、两个电阻和低通滤波电路;所述NMOS管包括MN1和MN2,MN1和MN2的栅交叉相连;PMOS管包括MP1和MP2,MP1和MP2的二极管连接;所述低通滤波电路包括电阻R3和电容C1;所述两个电阻包括R1和R2。
5.如权利要求3所述的电子面单,其特征在于:所述调制解调电路包括包络检波电路和迟滞比较器;所述包络检波电路包括两个NMOS管和带通滤波器;所述NMOS管包括N1和N2,N1和N2二极管连接。
6.如权利要求3所述的电子面单,其特征在于:所述带通滤波器包括两个滤波电容和放电电阻;所述滤波电容包括串联电容C2和并联电容C3;所述放电电阻包括NMOS管N4。
7.如权利要求1所述的电子面单,其特征在于:所述模拟前端包括偏置产生电路、时钟生成电路、基准电压产生电路和复位电路。
8.如权利要求7所述的电子面单,其特征在于:所述复位电路包括电源检测模块、延时模块和门电路模块;电源检测模块感应到电源电压的变化产生两个下降沿信号,一个下降沿信号经延时模块后,通过门电路模块与另一个下降沿信号产生复位脉冲信号。
9.如权利要求8所述的电子面单,其特征在于:所述电源检测模块包括NMOS管M2和NMOS管M3,PMOS管M4,电容M1和电容M5,以及施密特触发器S1;所述M2和M3二极管连接;M2连接M1和M4;M3连接M5;M4和M5连接;M4还连接S1。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川九鼎智远知识产权运营有限公司,未经四川九鼎智远知识产权运营有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711325280.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。