[发明专利]一种图案化方法

权利要求书

1.一种图案化方法，其特征在于，包含:

提供一基底，包含阵列区和周边区；

在基底上形成一材料层，完全覆盖该阵列区和该周边区；

形成一第一图案化掩模层，覆盖该阵列区和该周边区的部分该材料层；

以该第一图案化掩模层进行一第一自对准双重图案化制作工艺，将该阵列区和该周边区的该材料层分别图案化成一第一阵列图案和一第一周边图案；

形成一第二图案化掩模层，部分覆盖该第一阵列图案，完全覆盖该第一周边图案；

以该第二图案化掩模层进行一第二自对准双重图案化制作工艺，将该第一阵列图案图案化成一第二阵列图案；

形成一第三图案化掩模层，显露部分该第一周边图案，完全覆盖该第二阵列图案；以及

以该第三图案化掩模层为蚀刻掩模蚀刻移除该第一周边图案显露的部分，将该第一周边图案图案化成一第二周边图案。

2.如权利要求1所述的图案化方法，其中该第一图案化掩模层包含多条沿着一第二方向延伸的线形图案，该第二图案化掩模层包含多条沿着一第一方向延伸的线形图案。

3.如权利要求2所述的图案化方法，其中该第一方向与该第二方向垂直。

4.如权利要求2所述的图案化方法，其中该第一方向与该第二方向夹有小于90度的锐角。

5.如权利要求1所述的图案化方法，其中该第一周边图案包含一环形图案以及由该环形图案包围的一线段图案。

6.如权利要求5所述的图案化方法，其中部分该环形图案以及部分该线段图案自该第三图案化掩模层显露出来。

7.如权利要求1所述的图案化方法，其中该第二阵列图案包含多个相同尺寸的岛状图案，该第二周边图案包含多个长度不等的线段图案。

8.如权利要求1所述的图案化方法，其中该第一自对准双重图案化制作工艺包含:

形成一第一间隙壁材料层，共型地覆盖该第一图案化掩模层；

形成一第一平坦化层完全覆盖该第一间隙壁材料层；

回蚀刻该第一平坦化层至显露出该第一间隙壁材料层，剩余的该第一平坦化层填充在该第一间隙壁材料层之间；

移除该第一间隙壁材料层显露的部分，显露出该第一图案化掩模层和部分该材料层；

以该第一图案化掩模层和剩余的该第一平坦化层为蚀刻掩模蚀刻该材料层，在该材料层中形成该第一阵列图案以及该第一周边图案；以及

移除该第一图案化掩模层和剩余的该第一平坦化层。

9.如权利要求8所述的图案化方法，其中该第一平坦化层与该第一图案化掩模层包含光致抗蚀剂或有机介电层。

10.如权利要求8所述的图案化方法，其中该第一间隙壁材料层包含氧化硅。

11.如权利要求1所述的图案化方法，其中该第二自对准双重图案化制作工艺包含:

形成一第二间隙壁材料层，共型地覆盖该第二图案化掩模层；

形成一第二平坦化层完全覆盖该第二间隙壁材料层；

回蚀刻该第二平坦化层至显露出部分该第二间隙壁材料层，剩余的该第二平坦化层填充在该第二间隙壁材料层之间的间隙；

移除该第二间隙壁材料层显露的部分，显露出该第二图案化掩模层和部分该第一阵列图案；

以该第二图案化掩模层和剩余的该第二平坦化层为蚀刻掩模蚀刻该第一阵列图案，形成该第二阵列图案；以及

移除该第二图案化掩模层和剩余的该第二平坦化层。

12.如权利要求11所述的图案化方法，其中该第二平坦化层与该第二图案化掩模层包含光致抗蚀剂或有机介电层。

13.如权利要求11所述的图案化方法，其中该第二间隙壁材料层包含氧化硅。