[发明专利]相对于氧化硅区域有选择地蚀刻氮化硅区域的方法

说明书

本发明提供了一种相对于由氧化硅形成的第二区域有选择地蚀刻由氮化硅形成的第一区域的方法，能够抑制堆积物的生成并且能够获得高选择性。一个实施方式的方法包括：在由等离子体处理装置的腔室主体提供的腔室内准备具有第一区域和第二区域的被加工物的步骤；在腔室内生成包含含氢气体的第一气体的等离子体，以使得通过氢的活性种将第一区域的一部分改性而形成改性区域的步骤；和在腔室内生成包含含氟气体的第二气体的等离子体，以使得利用氟的活性种除去改性区域的步骤。

技术领域

本发明的实施方式涉及相对于由氧化硅形成的第二区域有选择地蚀刻由氮化硅形成的第一区域的方法。

背景技术

在半导体器件之类的电子器件的制造中，有时要求对由不同的材料形成的二个区域中的一个区域相对于另一个区域有选择地执行蚀刻。例如，要求相对由氧化硅形成的第二区域有选择地蚀刻由氮化硅形成的第一区域的方法的技术。

为了相对由氧化硅形成的第二区域有选择地蚀刻由氮化硅形成的第一区域，一般而言，执行使用氢氟烃气体的等离子体蚀刻。使用氢氟烃气体的等离子体蚀刻中，一边利用碳氟化合物的堆积物保护第二区域，一边利用等离子体中的活性种产生第一区域的蚀刻。专利文献1中记载了这样的等离子体蚀刻。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-229418号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

在相对由氧化硅形成的第二区域有选择地蚀刻由氮化硅形成的第一区域的处理中，要求比使用氢氟烃气体的等离子体蚀刻高的选择比。

另外，使用氢氟烃气体的等离子体蚀刻，如上所述使用堆积物保护第二区域，因此执行第一区域的蚀刻形成狭小的开口时，有时该开口被堆积物堵塞，停止第一区域的蚀刻。

因此，在相对由氧化硅形成的第二区域有选择地蚀刻由氮化硅形成的第一区域的处理中，追求抑制堆积物的生成并且得到高选择比的技术。

用于解决技术问题的技术方案

在一个方式中，提供了一种相对于由氧化硅形成的第二区域有选择地蚀刻由氮化硅形成的第一区域的方法.该方法包括：(i)在由等离子体处理装置的腔室主体提供的腔室内准备具有第一区域和第二区域的被加工物的步骤；(ii)在腔室内生成包含含氢气体的第一气体的等离子体，以使得通过氢的活性种将第一区域的一部分改性而形成改性区域的步骤(以下，称为“改性步骤”)；和(iii)在腔室内生成包含含氟气体的第二气体的等离子体，以使得利用氟的活性种除去改性区域的步骤(以下，称为“除去步骤”)。

在一个方式中，利用改性步骤中生成的氢的活性种将第一区域的一部分改性，成为利用氟的活性种能够容易地除去的改性区域。另一方面，由氧化硅形成的第二区域稳定，因此在氢的活性种中不被改性。因此，在除去步骤中，能够相对于第二区域有选择地除去改性区域。因此，根据该方法，能够相对于第二区域有选择地蚀刻第一区域。另外，在改性步骤和除去步骤中生成的等离子体中的活性种与氢氟烃气体的等离子体中的活性种相比较，具有相当低的堆积性或者实际上没有堆积性。因此，通过该方法，能够抑制堆积物的生成。

在一个实施方式中，在腔室内，被加工物被搭载在包括电极的台上，能够对电极供给用于将离子引导至被加工物的高频、即偏置用的高频。在一个实施方式中，向该电极供给偏置用的高频。通过该实施方式，能够更加高效地进行第一区域的改性。在一个实施方式中，在生成第二气体的等离子体的步骤中，不向该电极供给偏置用的高频。即，该实施方式中，不利用离子的溅射蚀刻，而是利用改性区域与氟的活性种的化学反应来除去改性区域。

在一个实施方式中，第二气体可以包含NF₃气体作为含氟气体。