[发明专利]等离子体装置

权利要求书

1.一种等离子体装置，对工件进行等离子体处理，

所述等离子体装置具备容器，该容器具有相向配置的第一模及第二模，在由所述第一模及所述第二模形成的密闭空间的内部配置所述工件，

所述工件具有：

处理对象物，具有处理对象部分和沿与处理对象物垂直的方向观察时位于比所述处理对象部分的一部分靠所述处理对象物的外周侧的非处理对象部分；及

掩模部件，覆盖所述非处理对象部分，

所述第一模具有：

第一凹陷部，与所述处理对象部分相向配置并产生等离子体；

第二凹陷部，与覆盖所述非处理对象部分的所述掩模部件的至少一部分相向配置并产生等离子体；及

相向平面部，以包围所述第一凹陷部及所述第二凹陷部的方式配置，并配置在比所述第一凹陷部及所述第二凹陷部接近所述第二模的位置，

所述第二凹陷部的深度设定为与所述第一凹陷部的深度不同的值，

所述第一凹陷部的深度是所述相向平面部的与所述工件相向的平面和所述第一凹陷部的底面之间的距离，所述第二凹陷部的深度是所述相向平面部的与所述工件相向的平面和所述第二凹陷部的底面之间的距离，

所述底面是凹陷部中的与开口相反的一侧的构成内壁的面。

2.根据权利要求1所述的等离子体装置，其中，

所述第二凹陷部的深度设定得小于所述第一凹陷部的深度。

3.根据权利要求1所述的等离子体装置，其中，

所述第一模还具有将所述第一凹陷部与所述第二凹陷部分隔的分隔壁，

在所述分隔壁与所述掩模部件之间形成有间隙，

所述间隙比所述第二凹陷部的底面与所述掩模部件之间的间隔小。

4.根据权利要求2所述的等离子体装置，其中，

所述第一模还具有将所述第一凹陷部与所述第二凹陷部分隔的分隔壁，

在所述分隔壁与所述掩模部件之间形成有间隙，

所述间隙比所述第二凹陷部的底面与所述掩模部件之间的间隔小。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的等离子体装置，其中，

所述第一模具有构成所述第二凹陷部的底面的能够移动的底面部件，

所述等离子体装置具有通过变更所述第二凹陷部的底面的位置来调整所述第二凹陷部的深度的深度调整部。

6.根据权利要求5所述的等离子体装置，其中，

所述第一模还具有构成所述第一凹陷部的底面的能够移动的底面部件，

所述深度调整部通过变更所述第一凹陷部的底面的位置来调整所述第一凹陷部的深度。

7.根据权利要求5所述的等离子体装置，其中，

所述等离子体装置还具有：

第一辐射温度计，计测所述处理对象部分的温度；及

第二辐射温度计，计测与所述非处理对象部分对应的所述掩模部件的部分的温度，

所述深度调整部以使由所述第一辐射温度计计测的所述处理对象部分的温度与由所述第二辐射温度计计测的所述非处理对象部分的温度的温度差收敛于预先确定的容许温度差以内的方式执行所述调整。

8.根据权利要求6所述的等离子体装置，其中，

所述等离子体装置还具有：

第一辐射温度计，计测所述处理对象部分的温度；及

第二辐射温度计，计测与所述非处理对象部分对应的所述掩模部件的部分的温度，

所述深度调整部以使由所述第一辐射温度计计测的所述处理对象部分的温度与由所述第二辐射温度计计测的所述非处理对象部分的温度的温度差收敛于预先确定的容许温度差以内的方式执行所述调整。

9.根据权利要求1～4中任一项所述的等离子体装置，其中，

所述等离子体装置还具备：

第一施加电极，配置在所述第一凹陷部内；

第二施加电极，配置在所述第二凹陷部内；及

高频电力施加部，向所述第一施加电极及所述第二施加电极分别独立地施加高频电力。

10.根据权利要求9所述的等离子体装置，其中，

所述等离子体装置还具有：

第一辐射温度计，计测所述处理对象部分的温度；及

第二辐射温度计，计测与所述非处理对象部分对应的所述掩模部件的部分的温度，

所述高频电力施加部以使由所述第一辐射温度计计测的所述处理对象部分的温度与由所述第二辐射温度计计测的所述非处理对象部分的温度的温度差收敛于预先确定的容许温度差以内的方式至少调整向所述第二施加电极施加的高频电力。