[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

基板；

图案化导电层，其位于所述基板上；

钝化层，其位于所述基板上并围绕所述图案化导电层，所述图案化导电层的上表面与所述钝化层的上表面齐平；

第一球下金属层及第二球下金属层，所述第一球下金属层与所述第二球下金属层位于所述钝化层上并电连接至所述图案化导电层；

隔离结构，其位于所述钝化层上且位于所述第一球下金属层及所述第二球下金属层之间，其中所述隔离结构是从所述钝化层的突出，且其中所述第一球下金属层与所述隔离结构分隔，且所述隔离结构接触所述图案化导电层；及

第一种子层及第二种子层，所述第一种子层位于所述第一球下金属层之下，所述第二种子层位于所述第二球下金属层之下，且其中所述隔离结构自所述第一种子层及所述第二种子层隔开。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中在所述第一球下金属层及所述隔离结构之间的第一距离小于在所述第一球下金属层及所述第二球下金属层之间的第二距离。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中从所述钝化层的所述突出包括实质多边形金字塔(polygonal pyramid)结构、实质锥(conical)结构、实质球形(spherical)结构、实质半球形(hemispherical)结构或实质柱状(pillar)结构。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其中从所述钝化层的所述突出包括实质三角锥(triangular pyramid)结构或实质四边形金字塔(quadrangle pyramid)结构。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括位于所述第一球下金属层上的焊锡凸块。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其中所述隔离结构具有第一高度，且其中所述第一球下金属层、所述焊锡凸块及所述第一种子层具有第二高度，且所述第一高度与所述第二高度的比率的范围为0.05至0.4。

7.如权利要求5所述的半导体装置，其中所述隔离结构具有第一高度，且其中所述第一球下金属层、所述焊锡凸块及所述第一种子层具有第二高度，且所述第一高度与所述第二高度的比率的范围为0.1至0.2。

8.如权利要求5所述的半导体装置，其中所述第一种子层是置于所述第一球下金属层及所述钝化层之间。

9.如权利要求5所述的半导体装置，其中所述隔离结构包含绝缘材料。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括第三球下金属层及第四球下金属层，其中所述隔离结构是置于所述第一球下金属层、所述第二球下金属层、所述第三球下金属层及所述第四球下金属层之间。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括电连结至所述第一球下金属层及所述第二球下金属层的芯片。

12.如权利要求1所述的半导体装置，其中从所述钝化层的所述突出包括非球面(aspherical)结构或半非球面(semi-aspherical)结构。