[发明专利]一种含稳定结构硅基薄膜电极的高容量电池

权利要求书

1.一种含稳定结构硅基薄膜电极的高容量电池，包括负极壳体、金属锂片、隔膜、硅基薄膜电极、电解液，其特征在于：

所述的硅基薄膜电极采用在集流体表面沉积硅基材料而成，制成的硅基薄膜电极的面积比容量大于2.0mAh/cm²；所述集流体表面粗糙度0.1～3um；

所述电解液采用功能电解液，其包括锂盐、溶剂和添加剂；所述锂盐在电解液中的浓度为0.1～4.5mol/L；所述的添加剂的含量占电解液质量比的0.1～10％；其余为溶剂；

所述的锂盐包括LiPF₆、LiBF₄、LiBOB、LiODFB、LiTFSI、LiFSI中的一种或两种；

所述的添加剂包括F化合物、含S化合物、含P化合物中的一种或几种成膜添加剂；

所述的溶剂包括碳酸酯类、砜类、腈类、醚类、离子液体中的一种或几种。

2.如权利要求1所述一种含稳定结构硅基薄膜电极的高容量电池，其特征在于，所述集流体包括但不限于铜箔、铜网、泡沫铜、碳纸、碳布。

3.如权利要求2所述一种含稳定结构硅基薄膜电极的高容量电池，其特征在于，所述集流体采用铜箔时，铜箔厚度在5～20um。

4.如权利要求2所述一种含稳定结构硅基薄膜电极的高容量电池，其特征在于，所述集流体采用铜网时，钢网孔隙率5％～30％。

5.如权利要求1所述一种含稳定结构硅基薄膜电极的高容量电池，其特征在于，所述的在集流体表面沉积硅材料的方法包括但不限于磁控溅射、物理气相沉积、化学气相沉积、电化学沉积。

6.如权利要求1所述一种含稳定结构硅基薄膜电极的高容量电池，其特征在于，所述的硅材料包括但不限于硅、硅/碳、硅/金属、氧化亚硅、氧化亚硅/碳。

7.如权利要求1所述一种含稳定结构硅基薄膜电极的高容量电池，其特征在于，

所述的含F化合物包括FEC、DFEC、LiPO₂F₂中的一种或几种；

所述含S化合物包括BS、ES、PS、TMS、MMDS、DTD中的一种或几种；

所述含P化合物包括TMP、TFP、BMP中的一种或几种。

8.如权利要求1所述一种含稳定结构硅基薄膜电极的高容量电池，其特征在于，

所述的碳酸酯类溶剂包括EC、EMC、DEC；

所述的溶剂砜类溶剂包括SL、DMS；

所述的腈类溶剂包括SN；

所述的醚类溶剂包括DOL、DME。