[发明专利]一种调整晶体管衬底电压校正片上非均匀性的装置及方法

权利要求书

1.一种调整晶体管衬底电压校正片上非均匀性的装置，其特征在于， 包括：第一模数转换器（1），第二模数转换器（2），第一功能模块电路（3），第二功能模块电路（4），PMOS管（5），NMOS管（6），传感器探测元电阻阵列（7），积分电路（8），不感光电阻（9）；

所述NMOS管（6）的漏极与所述传感器探测元电阻阵列（7）连接，源极分别与所述PMOS管（5）的漏极和所述积分电路（8）连接；

所述PMOS管（5）的源极与所述不感光电阻（9）的一端连接，漏极还与所述积分电路（8）连接；

所述第一功能模块电路（3）与所述PMOS管（5）的栅极连接，所述第二功能模块电路（4）与所述NMOS管（6）的栅极连接；

所述第一模数转换器（1）与所述PMOS管（5）的衬底连接，所述第二模数转换器（2）与所述NMOS管（6）的衬底连接，用于调节所述PMOS管（5）和所述NMOS管（6）的衬底电压。

2.根据权利要求1所述的一种调整晶体管衬底电压校正片上非均匀性的装置，其特征在于，所述第一功能模块电路（3）和第二功能模块电路（4）均为根据实际需要而设计的用作扩展功能的功能模块电路。

3.根据权利要求2所述的一种调整晶体管衬底电压校正片上非均匀性的装置，其特征在于，所述积分电路（8）包括开关（10）、电容（11）和运算放大器（12）；所述开关（10）和所述电容（11）并联；所述开关（10）与所述运算放大器（12）的输入端和输出端连接；所述电容（11）与所述运算放大器（12）的输入端和输出端连接。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的一种调整晶体管衬底电压校正片上非均匀性的装置，其特征在于，所述不感光电阻（9）的阻值与所述传感器探测元电阻阵列（7）中的任一传感器探测元电阻的阻值相同。

5.一种基于如权利要求1至4中任一项所述装置的调整晶体管衬底电压校正片上非均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：所述NMOS管（6）的漏极与所述传感器探测元电阻阵列（7）中的接收红外辐射的传感器探测元电阻自动连接，所述第一功能模块电路（3）向所述PMOS管（5）的栅极输入电压信号，所述PMOS管（5）的漏极输出电流信号；

步骤二：所述电流信号分两路流入所述NMOS管（6）的源极和所述积分电路（8），通过所述第一模数转换器（1）调节所述PMOS管（5）的衬底电压以调节所述电流信号和/或通过所述第二模数转换器（2）调节所述NMOS管（6）的衬底电压以调节流入所述NMOS管（6）的电流信号，以校正流入积分电路（8）的积分电流；

步骤三：所述积分电路（8）根据校正后的所述积分电流输出积分电压信号。

6.根据权利要求5所述的一种调整晶体管衬底电压校正片上非均匀性的方法，其特征在于，所述第一模数转换器（1）自动连续地向所述PMOS管（5）的衬底输入不同的调节电压。

7.根据权利要求5或6所述的一种调整晶体管衬底电压校正片上非均匀性的方法，其特征在于，所述第二模数转换器（2）自动连续地向所述NMOS管（6）的衬底输入不同的调节电压。

8.根据权利要求5所述的一种调整晶体管衬底电压校正片上非均匀性的方法，其特征在于，所述第一模数转换器（1）输入所述PMOS管（5）的衬底的调节电压的位数和/或所述第二模数转换器（2）输入所述NMOS管（6）的衬底的调节电压的位数均根据实际精度需要进行调节。