[发明专利]一种用于低温液氦环境的陶瓷通道及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201711327503.X 申请日: 2017-12-13
公开(公告)号: CN108002830A 公开(公告)日: 2018-05-08
发明(设计)人: 谢志鹏;桂经亚 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: C04B35/48 分类号: C04B35/48;C04B35/622;C04B37/00;H01F6/04;F25D3/10
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 关畅;王春霞
地址: 100084 北京市海淀区北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 低温 环境 陶瓷 通道 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.陶瓷粉体在制备用于低温液氦环境的陶瓷通道中的应用;

所述陶瓷粉体为氧化钇稳定氧化锆粉末,其中氧化钇的摩尔百分含量为2~3%。

2.一种用于低温液氦环境的陶瓷通道的制备方法,包括如下步骤:

将陶瓷粉体与有机溶剂混合得到混合料,所述混合料依次经冷等静压成型和高温烧结得到陶瓷通道,将所述陶瓷通道与金属接头进行封接即可;

所述陶瓷粉体为氧化钇稳定氧化锆粉末,其中氧化钇的摩尔百分含量为2~3%。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:所述混合料中,所述陶瓷粉体的质量百分含量为95~98%。

4.根据权利要求2或3所述的制备方法,其特征在于:所述有机溶剂为乙醇、水或二甲基甲酰胺。

5.根据权利要求2-4中任一项所述的制备方法,其特征在于:所述冷等静压成型之前,所述方法还包括对所述混合料依次进行烘干和研磨造粒的步骤。

6.根据权利要求2-5中任一项所述的制备方法,其特征在于:所述冷静压成型的条件如下:

温度为室温,压力为100~200MPa,时间为1~10分钟;

所述高温烧结的条件如下:

由室温升温至1000~1200℃,恒温0.5~1h;继续升温至1400~1600℃,恒温1~2h。

7.根据权利要求2-6中任一项所述的制备方法,其特征在于:进行所述封接步骤之前,所述方法还包括对所述陶瓷通道进行机械加工的步骤;

所述机械加工包括研磨、抛光、精加工的步骤。

8.根据权利要求2-7中任一项所述的制备方法,其特征在于:所述金属接头的材质为不锈钢。

9.根据权利要求2-8中任一项所述的制备方法,其特征在于:所述封接采用活性钎焊法。

10.权利要求2-9中任一项所述方法制备的用于低温液氦环境的陶瓷通道。

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