[发明专利]垂直双扩散场效应晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种垂直双扩散场效应晶体管，其特征在于：所述晶体管包括N型衬底，形成于所述N型衬底上的第一层N型外延，形成于所述第一层N型外延表面的第一沟槽与第二沟槽，形成于所述第一沟槽与第二沟槽中的P型外延，形成于所述第一层N型外延及所述P型外延上的第二层P型外延，贯穿所述第二层P型外延且对应所述第一沟槽与第二沟槽之间的第一层N型外延的第三沟槽，位于所述第三沟槽中的第二层N型外延，位于所述第二层P型外延表面且对应所述第一沟槽的第一N型注入区，位于所述第二层P型外延表面且对应所述第二沟槽的第二N型注入区，贯穿所述第一N型注入区并延伸至所述第二层P型外延的第一P型注入区，贯穿所述第二N型注入区并延伸至所述第二层P型外延的第二P型注入区，依次形成于所述第二层P型外延、所述第二层N型外延、所述第一、第二N型注入区上的氧化硅层与多晶硅层，贯穿所述氧化硅层及多晶硅层且对应所述第一N型注入区与第一P型注入区的第一开口，贯穿所述氧化硅层与多晶硅层且对应所述第二N型注入区及所述第二P型注入区的第二开口，形成于所述多晶硅层上、第一、第二N型注入区上的介质层，贯穿所述介质层且对应所述第一N型注入区与第一P型注入区的第一通孔，贯穿所述介质层且对应所述第二N型注入区与第二P型注入区的第二通孔。

2.如权利要求1所述的垂直双扩散场效应晶体管，其特征在于：所述晶体管还包括第一金属层，所述第一金属层形成于所述介质层上，所述第一金属层还经由所述第一通孔连接所述第一N型注入区与第一P型注入区，所述第一金属层也经由所述第二通孔连接所述第二N型注入区与第二P型注入区。

3.如权利要求2所述的垂直双扩散场效应晶体管，其特征在于：所述晶体管还包括第二金属层，所述第二金属层形成于所述N型衬底远离所述第一层N型外延的表面。

4.如权利要求1所述的垂直双扩散场效应晶体管，其特征在于：所述第一、第二沟槽中的P型外延的电阻率小于所述第二层P型外延的电阻率。

5.如权利要求1所述的垂直双扩散场效应晶体管，其特征在于：所述第一沟槽与所述第二沟槽均包括上半部分及下半部分，所述上半部分的宽度大于所述下半部分的宽度。

6.一种垂直双扩散场效应晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：

提供具有N型衬底的第一层N型外延，在所述第一层N型外延依形成第一氧化硅层；

使用第一光刻胶作为掩膜，刻蚀所述第一氧化硅层，形成贯穿所述第一氧化硅层并延伸至所述第一层N型外延中的第一沟槽与第二沟槽；

去除所述第一氧化硅层，在所述第一及第二沟槽中形成P型外延以及在所述第一层N型外延上形成第二层P型外延；

刻蚀所述第一沟槽与第二沟槽之间的第二层P型外延形成贯穿所述第二层P型外延且对应所述第一层N型外延的第三沟槽；

在所述第三沟槽中形成所述第二层N型外延；

在所述第二层N型外延对应所述第一沟槽的位置形成第一P型注入区，在所述第二层N型外延对应所述第二沟槽的位置形成第二P型注入区；

形成位于所述第二层P型外延表面且对应所述第一沟槽的第一N型注入区、位于所述第二层P型外延表面且对应所述第二沟槽的第二N型注入区，其中所述第一P型注入区贯穿所述第一N型注入区并延伸至所述第二层P型外延，所述第二P型注入区贯穿所述第二N型注入区并延伸至所述第二层P型外延；

依次形成位于所述第二层P型外延、所述第二层N型外延、所述第一、第二N型注入区上的第二氧化硅层与多晶硅层，贯穿所述第二氧化硅层及多晶硅层且对应所述第一N型注入区与第一P型注入区的第一开口，贯穿所述第二氧化硅层与多晶硅层且对应所述第二N型注入区及所述第二P型注入区的第二开口，形成于所述多晶硅层上、第一、第二N型注入区上的介质层，贯穿所述介质层且对应所述第一N型注入区与第一P型注入区的第一通孔，贯穿所述介质层且对应所述第二N型注入区与第二P型注入区的第二通孔。