[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201711328397.7 | 申请日: | 2017-12-13 |
公开(公告)号: | CN109286390B | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
发明(设计)人: | 金昌铉 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H03K5/133 | 分类号: | H03K5/133;H03K5/135;H03K5/26;G06F1/12 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 厉锦;王建国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件,包括:
命令输入电路,被配置成与时钟信号同步来产生如果外部命令输入给命令输入电路则被使能的输入命令;以及
内部命令发生电路,被配置成同步于通过将时钟信号的频率分频而产生的第一分时钟信号和第二分时钟信号、根据等待时间信息信号将输入命令延迟预定时段来产生内部命令,
其中,所述预定时段被设置成等于第一延迟量与第二延迟量之和,第一延迟量与第二分时钟信号的周期时间的“N”倍相对应,第二延迟量与时钟信号的周期时间的“M”倍相对应,
其中,所述第一分时钟信号和第二分时钟信号为具有不同频率的信号。
2.如权利要求1所述的半导体器件,
其中,第一分时钟信号具有为时钟信号的频率的2N分之一的频率;以及
其中,第二分时钟信号具有为第一分时钟信号的频率的2N分之一的频率。
3.如权利要求2所述的半导体器件,其中,数量“N”和“M”为自然数。
4.如权利要求1所述的半导体器件,
其中,等待时间信息信号包括第一组和第二组;
其中,等待时间信息信号的第一组为用于设置第二延迟量的信号;以及
其中,等待时间信息信号的第二组为用于设置第一延迟量的信号。
5.如权利要求1所述的半导体器件,其中,内部命令发生电路包括:
选择命令发生电路,被配置成同步于第一分时钟信号和第二分时钟信号而根据等待时间信息信号将输入命令延迟所述预定时段来产生多个选择命令;以及
选择/传输电路,被配置成检测外部命令输入的时间,以及被配置成根据检测结果来将所述多个选择命令中的任意一个输出而作为内部命令。
6.如权利要求5所述的半导体器件,其中,选择命令发生电路包括:
控制信号发生电路,被配置成将等待时间信息信号解码来产生多个控制信号,所述多个控制信号之一被选择性地使能;
偏移电路,被配置成响应于所述多个控制信号而将输入命令延迟第一延迟量来产生第一偏移命令;
脉冲宽度控制电路,被配置成同步于时钟信号、第一分时钟信号和第二分时钟信号来控制第一偏移命令的脉冲宽度以产生第二偏移命令;以及
选择命令输出电路,被配置成响应于从等待时间信息信号产生的使能信号而将第二偏移命令延迟第二延迟量来输出延迟的第二偏移命令作为所述多个选择命令中的任意一个。
7.如权利要求6所述的半导体器件,
其中,所述多个控制信号包括第一控制信号、第二控制信号和第三控制信号;以及
其中,偏移电路包括:
第一延迟电路,被配置成响应于第一控制信号而将输入命令延迟第二分时钟信号的一个周期时间来产生第一延迟命令;
第二延迟电路,被配置成响应于第二控制信号而将输入命令或第一延迟命令延迟第二分时钟信号的一个周期时间来产生第二延迟命令;以及
第三延迟电路,被配置成响应于第三控制信号而将输入命令或第二延迟命令延迟第二分时钟信号的一个周期时间来产生第一偏移命令。
8.如权利要求6所述的半导体器件,
其中,使能信号包括第一使能信号至第四使能信号;
其中,所述多个选择命令包括第一选择命令至第四选择命令;以及
其中,选择命令输出电路包括:
第一输出电路,被配置成响应于第一使能信号而与时钟信号同步来输出第二偏移命令作为第一选择命令;
第二输出电路,被配置成响应于第二使能信号而与时钟信号同步来输出第一选择命令作为第二选择命令;
第三输出电路,被配置成响应于第三使能信号而与时钟信号同步来输出第二选择命令作为第三选择命令;以及
第四输出电路,被配置成响应于第四使能信号而与时钟信号同步来输出第三选择命令作为第四选择命令。
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