[发明专利]快速热退火方法有效
| 申请号： | 201711329238.9 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108091565B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 范世炜;张凌越 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 快速 退火 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种快速热退火方法，其特征在于，包括：
提供一基底，所述基底中注入有杂质离子，所述基底表面具有自然形成的生长层；
利用快速热处理机台对所述基底执行快速热退火工艺；其中，
在执行快速热退火工艺的过程中，通入氧气，所述氧气的流量为0.3cm3/s～1cm3/s，所述氧气能够与所述基底反应以增加所述生长层的厚度，以利用增加后的所述生长层防止位于所述基底中的所述杂质离子溢出。
2.根据权利要求1中所述的快速热退火方法，其特征在于，所述基底的材料为单晶硅。
3.根据权利要求2中所述的快速热退火方法，其特征在于，所述生长层为氧化硅层。
4.根据权利要求1～3任一项所述的快速热退火方法，其特征在于，还包括：
对快速热退火处理之后的衬底进行方块电阻测量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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