[发明专利]改善SOI器件浮体效应的工艺方法在审
| 申请号： | 201711329262.2 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108054120A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 孙玉红 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 soi 器件 效应 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善SOI器件浮体效应的工艺方法，其特征在于，包括：
提供SOI衬底；
于所述SOI衬底表面沉积衬垫氧化层；
对所述SOI衬底进行半导体离子注入，并对所述SOI衬底进行热退火工艺。
2.如权利要求1所述的改善SOI器件浮体效应的工艺方法，其特征在于，所述SOI衬底包括依次层叠的硅衬底、埋氧层及顶层硅，所述半导体离子注入至顶层硅内且靠近所述埋氧层的界面处。
3.如权利要求2所述的改善SOI器件浮体效应的工艺方法，其特征在于，所述顶层硅内靠近所述埋氧层的界面处形成复合中心。
4.如权利要求1所述的改善SOI器件浮体效应的工艺方法，其特征在于，所述半导体离子注入为硅离子、锗离子或氩离子注入。
5.如权利要求1所述的改善SOI器件浮体效应的工艺方法，其特征在于，所述半导体离子注入的浓度为1×10
6.如权利要求1所述的改善SOI器件浮体效应的工艺方法，其特征在于，进行热退火工艺的温度为700℃～1000℃。
7.如权利要求1所述的改善SOI器件浮体效应的工艺方法，其特征在于，所述衬垫氧化层为氧化硅，厚度为10nm～20nm。
8.如权利要求1所述的改善SOI器件浮体效应的工艺方法，其特征在于，进行热退火工艺之后还包括：于所述SOI衬底上进行CMOS工艺。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711329262.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
