[发明专利]分配存储器件中的地址以减轻写入干扰的装置和方法

说明书

一种地址分配装置包括地址分配器。地址分配器分配存储器件中的多个存储单元的地址以防止至少两个连续的写入操作被施加到所述多个存储单元之中的共享多个字线中的任何一个或多个位线中的任何一个的至少两个相邻的存储单元。响应于从主机输出的写入请求来分别执行至少两个写入操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年4月21日提交的申请号为10-2017-0051543的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开的各种实施例总体而言涉及分配存储器件中的地址的装置和方法，更具体而言，涉及分配存储器件中的地址以减轻写入干扰的装置和方法。

背景技术

近来，随着诸如移动电话的便携式系统的发展，对使用半导体材料的存储器件的需求不断增长。存储器件通常可以被分类为易失性存储器件或非易失性存储器件。尤其是，由于大多数便携式系统倾向于使用大存储容量，所以即使当电源中断时也保持所储存的数据的非易失性存储器件已被广泛用于各种便携式系统中。易失性存储器装置可以包括静态随机存取存储(SRAM)器件和动态随机存取存储(DRAM)器件。非易失性存储器件可以包括铁电随机存取存储(FeRAM)器件、磁性随机存取存储(MRAM)器件、电阻随机存取存储(RRAM)器件和相变存储(PCM)器件。

非易失性存储器件中的PCM器件已被认为是有吸引力的非易失性存储器件。这是因为与其它非易失性存储器件相比，PCM器件具有相对简单的单元结构，并且表现出与属于易失性存储器件的DRAM器件相似的相对高的操作速度。此外，PCM器件作为下一代非易失性存储器件非常有吸引力，因为PCM器件的制造成本与其它非易失性存储器件相比相对较低。PCM器件的单位单元可以设置在字线与位线的交叉点处，以包括串联耦接的开关元件和数据储存元件。数据存储元件可以包括与开关元件电耦接的下电极、设置在下电极上的相变材料图案以及设置在相变材料图案上的上电极。

在PCM器件中，如果写入电流流过开关元件和下电极以执行写入操作，则可能在下电极与相变材料图案之间的界面处产生焦耳热。在下电极与相变材料图案之间的界面处产生的焦耳热可以将相变材料图案的相位变为非晶态或晶态以执行写入操作。当PCM器件在用于执行写入操作的写入模式下操作时，逻辑地址可以被输入到PCM器件，并且逻辑地址可以被改变成物理地址。如果执行写入操作以顺序地将数据写入到与单个字线或单个位线物理地耦接的多个存储单元中，则两个相邻的存储单元可能被连续地写入数据。在这种情况下，在两个相邻存储单元中的一个中产生的焦耳热可能直接影响该两个相邻存储单元中的另一个，从而造成写入干扰。

发明内容

各种实施例针对分配存储器件中的地址以减轻写入干扰的装置和方法。

根据一个实施例，提供一种用于分配存储器件中的多个存储单元的地址的装置。所述装置包括地址分配器。地址分配器分配多个存储单元的地址，以防止至少两个连续的写入操作被施加到所述多个存储单元之中的共享多个字线中的任何一个或多个位线中的任何一个的至少两个相邻的存储单元。响应于从主机输出的写入请求来分别执行至少两个写入操作。

根据另一个实施例，提供一种分配存储器件中的多个存储单元的地址的方法。所述方法包括分配多个存储单元的地址，以防止至少两个连续的写入操作被施加到所述多个存储单元之中的共享多个字线中的任何一个或多个位线中的任何一个的至少两个相邻的存储单元。响应于从主机输出的写入请求来分别执行至少两个写入操作。

附图说明

参照附图和所附详细描述，本公开的各种实施例将变得更加明显，附图中：

图1是示出相变存储(PCM)器件的单元阵列的等效电路图；

图2是示出根据本公开的一个实施例的存储系统的框图；

图3是示出在写入模式下从主机输出的16位地址的一个示例的示意图；