[发明专利]一种银纳米线导电膜的刻蚀液及其使用方法

说明书

本发明是一种银纳米线导电膜的刻蚀液及其使用方法，所述刻蚀液组分及质量百分比如下：醋酸：10～30％；氨水：5～10％；无机金属盐：10～20％；过氧化氢：6～16％；水溶性聚合物：3～15％；二氧化硅：4％；羧甲基纤维素：3％；乙二醇：2～17％；去离子水：10～30％。使用本发明制备的银纳米线导电膜具有成膜表面导电性能稳定，电阻率低，透光率高，附着力强的特点，本发明的制备工艺过程简单成熟，设备简单，操作方便，成本低廉，便于推广应用。此外，使用本发明制备的银纳米线导电膜具有化学稳定性良好，防腐性能优异的特性，不含强酸或强碱，环境污染小，可用于电磁屏蔽及电子电路等领域，具有广泛应用价值。

技术领域

本发明涉及一种刻蚀液技术领域，尤其涉及一种银纳米线导电膜的刻蚀液及其使用方法。

背景技术

目前工业制造透明导电薄膜以氧化物为主，氧化物透明导电薄膜由于其具有较低的电阻率、高可见光透过率等优点而作为透明电极广泛应用在平面显示、太阳能电池、触摸屏、可加热玻璃窗中等。ITO(Indium Tin Oxide)是目前应用最广泛的透明材料，ITO是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡，评价ITO薄膜好坏最关键的两项指标是透光率和导电率，在氧化物导电膜中，以掺Sn的In2O3(ITO)的透过率最高和导电性能最好，透光率达90％以上，导电性在透光率90％的同时，达到10-100ohm/sq。但是该材料具有比较脆，制备温度较高，并且价格昂贵等缺点。目前开发一种相对比较廉价的制备透明电极材料的方法，且具有优异电学、光学及力学性能成为业界一直努力的方向。

发明内容

本发明旨在解决现有技术的不足，而提供一种银纳米线导电膜的刻蚀液及其使用方法。

本发明为实现上述目的，采用以下技术方案：

一种银纳米线导电膜的刻蚀液，其特征在于，所述刻蚀液组分及质量百分比如下：

醋酸：10～30％；

氨水：5～10％；

无机金属盐：10～20％；

过氧化氢：6～16％；

水溶性聚合物：3～15％；

二氧化硅：4％；

羧甲基纤维素：3％；

乙二醇：2～17％；

去离子水：10～30％。

进一步地，所述醋酸的质量分数为65％，所述氨水的质量分数为25％～28％。

进一步地，所述无机金属盐包括醋酸铁、氯化铁、醋酸钾中的一种或几种。

进一步地，所述水溶性聚合物包括改性纤维素、聚乙烯醇、聚乙二醇的一种或几种。

本发明还提供一种上述银纳米线导电膜的刻蚀液的使用方法，其特征在于，将银纳米线导电膜浸泡在刻蚀液中，常温放置5-15分钟，然后用纯净水清洗银纳米线导电膜，将银纳米线导电膜风干或烘干。

本发明的有益效果是：使用本发明制备的银纳米线导电膜具有成膜表面导电性能稳定，电阻率低，透光率高，附着力强的特点，本发明的制备工艺过程简单成熟，设备简单，操作方便，成本低廉，便于推广应用。此外，使用本发明制备的银纳米线导电膜具有化学稳定性良好，防腐性能优异的特性，不含强酸或强碱，环境污染小，可用于电磁屏蔽及电子电路等领域，具有广泛应用价值。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明作进一步说明：

实施例1一种银纳米线导电膜的刻蚀液，其特征在于，所述刻蚀液组分及质量百分比如下：