[发明专利]基于纳米银修饰的水杨酸分子印迹电化学传感器的制备方法及应用

权利要求书

1.基于纳米银修饰的水杨酸分子印迹电化学传感器的制备方法，其特征在于具体过程为：首先将玻碳电极浸入新制的纳米银溶胶中进行修饰，然后以邻苯二胺作为功能单体、水杨酸作为模板分子，通过电化学聚合在纳米银修饰的玻碳电极上得到水杨酸分子印迹的邻苯二胺聚合物薄膜，再从水杨酸分子印迹的邻苯二胺聚合物薄膜中除去水杨酸模板分子得到基于纳米银修饰的水杨酸分子印迹电化学传感器。

2.根据权利要求1所述的基于纳米银修饰的水杨酸分子印迹电化学传感器的制备方法，其特征在于具体步骤为：

（1）将预处理的玻碳电极浸入新制的纳米银溶胶中，20min后将玻碳电极取出于室温干燥得到纳米银修饰的玻碳电极；

（2）在摩尔浓度为0.1mol/L、pH=6～8的NaH2PO4-Na2HPO4缓冲溶液中加入邻苯二胺和水杨酸，混合溶液中邻苯二胺的摩尔浓度为0.005mol/L，水杨酸与邻苯二胺的摩尔浓度之比为1:4～2:1；

（3）在步骤（2）得到的混合溶液中持续通入氮气进行除氧，然后将步骤（1）得到的纳米银修饰的玻碳电极作为工作电极、饱和甘汞电极作为参比电极及铂片电极作为辅助电极浸入混合溶液中形成三电极体聚合体系，采用循环伏安法进行电化学聚合在纳米银修饰的玻碳电极上得到水杨酸分子印迹的邻苯二胺聚合物薄膜，工作条件为：电位扫描范围0～0.8V，扫速为50mV/s，扫描圈数为5～25圈；

（4）将纳米银修饰的印迹电极放入质量浓度为2%的氨水中，施加-0.5V的电势，持续时间600s，用于从水杨酸分子印迹的邻苯二胺聚合物薄膜中除去水杨酸，然后用二次水洗净得到基于纳米银修饰的水杨酸分子印迹电化学传感器。

3.如权利要求1或2所述的方法制得的基于纳米银修饰的水杨酸分子印迹电化学传感器在选择性检测水杨酸中的应用。

4.根据权利要求3所述的基于纳米银修饰的水杨酸分子印迹电化学传感器在选择性检测水杨酸中的应用，其特征在于：线性检测范围为1*10-9mol·L-1～5*10-4mol·L-1，最低检测限为4.3*10-10mol·L-1，选择性因子为12.4。