[发明专利]基于异质结光子晶体耦合腔波导的单纤三向光器件在审

专利信息
申请号: 201711336365.1 申请日: 2017-12-12
公开(公告)号: CN108008486A 公开(公告)日: 2018-05-08
发明(设计)人: 张克非;李顺;朱虹茜;党绪文;王娅欣 申请(专利权)人: 西南科技大学
主分类号: G02B6/28 分类号: G02B6/28;G02B6/293
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 621000 四川*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 基于 异质结 光子 晶体 耦合 波导 单纤三 器件
【权利要求书】:

1.一种基于异质结光子晶体耦合腔波导的单纤三向光器件,其特征在于:包括相互连接的第一光子晶体单元和第二光子晶体单元,所述第一光子晶体单元的光子晶体晶格常数为a1 nm、第一无源硅介质柱半径为r1 nm,所述第二光子晶体单元的光子晶体晶格常数为a2 nm、第二无源硅介质柱半径为r2 nm,所述第一光子晶体单元上设有一条较长的线缺陷形成的主波导和两条较短的线缺陷形成的下路波导,两条所述下路波导分别位于所述主波导的两侧,两条所述下路波导的轴心线重叠且与所述主波导的轴心线相互垂直,所述第二光子晶体单元设有一条较短的线缺陷形成的上路波导,所述上路波导的轴心线与所述主波导的轴心线重叠,所述主波导与两条所述下路波导之间、所述主波导与所述上路波导之间分别设有一个耦合微腔,三个所述耦合微腔内分别设有无源硅缺陷介质柱,所述主波导与所述上路波导之间的所述耦合微腔位于所述第二光子晶体单元上。

2.根据权利要求1所述的基于异质结光子晶体耦合腔波导的单纤三向光器件,其特征在于:每个所述耦合微腔内的所述无源硅缺陷介质柱均为两个,所述主波导与两条所述下路波导之间的两个所述耦合微腔内的两个所述无源硅缺陷介质柱的连接线与所述下路波导的轴心线平行,所述主波导与所述上路波导之间的所述耦合微腔内的两个所述无源硅缺陷介质柱的连接线与所述上路波导的轴心线平行。

3.根据权利要求2所述的基于异质结光子晶体耦合腔波导的单纤三向光器件,其特征在于:每个所述耦合微腔内的两个所述无源硅缺陷介质柱之间均间隔三个对应的无源硅介质柱。

4.根据权利要求1、2或3所述的基于异质结光子晶体耦合腔波导的单纤三向光器件,其特征在于:a1为460,r1为110,a2为420,r2为100。

5.根据权利要求4所述的基于异质结光子晶体耦合腔波导的单纤三向光器件,其特征在于:所述主波导与第一条所述下路波导之间的所述耦合微腔内的两个所述无源硅缺陷介质柱的直径为101.2nm,所述主波导与第二条所述下路波导之间的所述耦合微腔内的两个所述无源硅缺陷介质柱的直径为85.6nm,所述主波导与所述上路波导之间的所述耦合微腔内的两个所述无源硅缺陷介质柱的直径为70.6nm;所述主波导与第一条所述下路波导之间的所述耦合微腔内的两个所述无源硅缺陷介质柱分别向中心位置偏移112nm,所述主波导与第二条所述下路波导之间的所述耦合微腔内的两个所述无源硅缺陷介质柱分别向中心位置偏移110nm,所述主波导与所述上路波导之间的所述耦合微腔内的两个所述无源硅缺陷介质柱分别向中心位置偏移100nm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南科技大学,未经西南科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711336365.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top