[发明专利]一种具有限流功能的H桥电路

权利要求书

1.一种具有限流功能的H桥电路，其特征在于：包括数字控制器连接H桥驱动器，输出H桥控制信号，H桥驱动器连接H桥，对H桥进行驱动。

2.根据权利要求1所述的具有限流功能的H桥电路，其特征在于：所述H桥包括：

MOS管Q1的栅极通过串联的栅极电阻R2和R1连接H桥驱动器，MOS管Q1的漏极接H桥高压侧电源，MOS管Q1的源极通过采样电阻R4连接输出端，三极管Q2集电极连接电阻R1与R2的公共端，三极管Q2的基极通过基极电阻R3连接至MOS管Q1的源极，三极管Q2的发射极连接输出端；

MOS管Q3的栅极通过串联的栅极电阻R6和R7连接H桥驱动器，MOS管Q3的源极通过采样电阻R9连接H桥高压侧地，MOS管Q3的漏极连接输出端，三极管Q4集电极连接电阻R6与R7的公共端，三极管Q4的基极通过基极电阻R8连接至MOS管Q3的源极，三极管Q4的发射极连接H桥高压侧地。

3.根据权利要求1或2所述的具有限流功能的H桥电路，其特征在于：所述H桥驱动器包括H桥驱动芯片和电荷泵，其中H桥驱动芯片通过HIN与LIN接口与数字控制器连接，电荷泵连接H桥驱动芯片，对H桥驱动芯片的自举电容进行充电。

4.根据权利要求1所述的具有限流功能的H桥电路，其特征在于：

当所述H桥输出高电压时，电流由H桥高压侧电源HV经由MOS管Q1和采样电阻R4输出至输出端OUT；若输出电流增大，则采样电阻R4两端电压增大，三极管Q2基极与发射极的电压随之增大；

当所述三极管Q2基极与发射极电压增大至开启电压时Q2导通，使得MOS管Q1栅极电压下降，MOS管Q1关闭，输出电流减少。

5.根据权利要求1所述的具有限流功能的H桥电路，其特征在于：

当所述H桥输出低电压时，电流由输出端OUT经由MOS管Q3和采样电阻R9流入至H桥高压侧地，若流入电流增大，则采样电阻R9两端电压增大，三极管Q4基极与发射极电压随之增大；

当所述三极管Q4基极与发射极电压增大至开启电压时，三极管Q4导通，使得三极管Q3栅极电压下降，三极管Q3关闭，流入电流减少。

6.根据权利要求2所述的具有限流功能的H桥电路，其特征在于：所述栅极电阻R1、R2、R6和R7，根据需要设定阻值，且阻值可以为0。