[发明专利]快恢复二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种快恢复二极管的制作方法，其特征在于：所述快恢复二极管包括N型外延层、形成于所述N型外延层的第一表面的快恢复二极管正面结构、形成于所述N型外延层远离所述快恢复二极管的正面结构的第二表面的第一沟槽与第二沟槽、形成于所述第一沟槽与所述第二沟槽表面的铂材料层、以及形成于所述N型外延层表面与所述铂材料层表面的金属层，所述金属层作为背面电极；所述第一沟槽远离所述快恢复二极管正面结构的部分的沟槽宽度大于邻近所述快恢复二极管正面结构的部分的第一沟槽宽度；所述第二沟槽远离所述快恢复二极管正面结构的部分的沟槽宽度大于邻近所述快恢复二极管正面结构的部分的第二沟槽宽度；所述第一沟槽中的铂材料层与所述第二沟槽中的铂材料层连接于一体；所述第一沟槽与所述第二沟槽轴对称设置；

其制作方法包括如下步骤：

提供N型衬底，在所述N型衬底上形成N型外延层，在所述N型外延层远离所述N型衬底的表面形成快恢复二极管正面结构；

进行背面减薄处理去除所述N型衬底，在所述N型外延层远离所述快恢复二极管正面结构的表面形成第一氧化硅层；

在所述第一氧化硅层表面形成光刻胶，形成贯穿所述光刻胶的第一开口与第二开口；

使用光刻胶作为掩膜，蚀刻所述第一氧化硅层以形成贯穿所述第一氧化硅层且对应所述第一开口的第三开口及对应所述第二开口的第四开口；使用所述第一、第二、第三及第四开口作为窗口蚀刻所述N型外延层，从而在所述N型外延层表面形成对应所述第一及第三开口的第一沟槽及对应所述第二及第四开口的第二沟槽；

去除所述光刻胶；

在所述两个沟槽表面形成铂材料层，对所述铂材料层所在侧进行第一次激光退火、铂扩散，然后进行热氧化，从而在所述铂材料层表面形成第二氧化硅层，所述第二氧化硅层与剩余的所述第一氧化硅层连接成整层的氧化硅层；及

在所述氧化硅层表面形成金属层，所述金属层作为背面电极。

2.如权利要求1所述的快恢复二极管的制作方法，其特征在于：所述第三开口的宽度大于所述第一开口的宽度，所述第四开口的宽度大于所述第二开口的宽度。

3.如权利要求2所述的快恢复二极管的制作方法，其特征在于：所述第一沟槽远离所述快恢复二极管正面结构的部分的沟槽宽度等于所述第三开口的宽度，所述第一沟槽邻近所述快恢复二极管正面结构的部分的宽度等于所述第一开口的宽度；所述第二沟槽远离所述快恢复二极管正面结构的部分的沟槽宽度等于所述第四开口的宽度，所述第二沟槽邻近所述快恢复二极管正面结构的部分的宽度等于所述第二开口的宽度。

4.如权利要求1所述的快恢复二极管的制作方法，其特征在于：所述方法还包括以下步骤：对所述氧化硅层一侧进行第二次激光退火，使得铂材料层进一步扩散，从而两个沟槽的铂材料层连接于一体。

5.如权利要求1所述的快恢复二极管的制作方法，其特征在于：所述第一沟槽与所述第二沟槽轴对称设置。