[发明专利]半导体存储器件有效
申请号: | 201711337133.8 | 申请日: | 2017-12-14 |
公开(公告)号: | CN108206184B | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 宋正宇;李艺路;黄光台;金光敏;金容宽;金志永 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H10B12/00 | 分类号: | H10B12/00;H01L23/528 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 器件 | ||
1.一种半导体存储器件,包括:
包括有源区域的衬底;
延伸跨过所述有源区域的位线结构;
在所述有源区域的端部上的着落垫;
在所述位线结构与所述着落垫之间的第一间隔物;
在所述第一间隔物与所述着落垫之间的第二间隔物;
在所述第一间隔物与所述第二间隔物之间的空气间隔物;
在所述着落垫的侧壁与所述位线结构的侧壁之间的盖图案;以及
在所述着落垫与所述有源区域的所述端部之间的存储节点接触,
其中所述着落垫包括:
金属图案;以及
在所述金属图案与所述存储节点接触之间的阻挡图案,以及
其中所述盖图案与所述金属图案接触,
其中所述盖图案限定所述空气间隔物的顶表面并包括金属性材料,
其中所述盖图案从所述金属图案选择性地生长,所述盖图案包括与所述金属图案相同的材料。
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件,
其中所述盖图案包括W。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器件,
其中所述盖图案与所述着落垫的所述侧壁和所述位线结构的所述侧壁接触。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器件,
其中所述盖图案与所述着落垫的所述侧壁接触并与所述位线结构的所述侧壁间隔开。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器件,
其中所述空气间隔物的所述顶表面比所述存储节点接触的顶表面更高地定位。
6.根据权利要求1所述的半导体存储器件,
其中所述盖图案与所述第一间隔物的顶表面和所述第二间隔物的顶表面接触。
7.根据权利要求1所述的半导体存储器件,
其中所述盖图案与所述第一间隔物的顶表面和所述第二间隔物的顶表面间隔开。
8.根据权利要求1所述的半导体存储器件,还包括:
在所述着落垫的顶表面上的数据存储构件;以及
在所述数据存储构件与所述着落垫之间的上金属图案,
其中所述上金属图案包括与所述着落垫的所述金属图案相同的材料。
9.一种半导体存储器件,包括:
包括有源区域的衬底;
延伸跨过所述有源区域的位线结构;
在所述有源区域的端部上的着落垫;
在所述位线结构与所述着落垫之间的第一间隔物;
在所述第一间隔物与所述着落垫之间的第二间隔物;
在所述第一间隔物与所述第二间隔物之间的空气间隔物;
在所述着落垫的侧壁与所述位线结构的侧壁之间的盖图案;以及
在所述着落垫与所述有源区域的所述端部之间的存储节点接触,
其中所述着落垫包括:
金属图案;以及
在所述金属图案与所述存储节点接触之间的阻挡图案,以及
其中所述盖图案与所述金属图案接触,
其中所述盖图案限定所述空气间隔物的顶表面,
其中所述盖图案从所述金属图案选择性地生长,所述盖图案包括与所述金属图案相同的材料。
10.根据权利要求9所述的半导体存储器件,
其中所述盖图案与所述着落垫的所述侧壁和所述位线结构的所述侧壁接触。
11.根据权利要求9所述的半导体存储器件,
其中所述盖图案与所述着落垫的所述侧壁接触并且与所述位线结构的所述侧壁间隔开。
12.根据权利要求9所述的半导体存储器件,
其中所述空气间隔物的所述顶表面比所述存储节点接触的顶表面更高地定位。
13.根据权利要求9所述的半导体存储器件,
其中所述盖图案包括W。
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