[发明专利]硅基单片集成量子密钥分发发送方芯片结构及其封装结构在审
| 申请号： | 201711337223.7 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109962770A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 龚攀;刘建宏 | 申请（专利权）人： | 科大国盾量子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H04L9/08 | 分类号： | H04L9/08 |
| 代理公司： | 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 | 代理人： | 丁瑞瑞 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市高*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 强度调制器 芯片结构 偏振调制器 可调光衰减器 量子密钥分发 封装结构 光分束器 光合束器 硅基单片 发送方 输出端 移相器 硅基 两路 首尾相连 系统结构 集成度 信号光 封装 兼容 测试 | ||
1.一种硅基单片集成量子密钥分发发送方芯片结构，其特征在于，包括第一强度调制器、第二强度调制器、偏振调制器、至少一个可调光衰减器，第一强度调制器、第二强度调制器、偏振调制器、至少一个可调光衰减器首尾相连，信号光从第一强度调制器进入，可调光衰减器的输出端作为芯片结构的输出端，所述第一强度调制器和第二强度调制器为马赫增德尔干涉仪结构，包括第一光分束器、两路第一硅基移相器以及光合束器，第一光分束器通过两路第一硅基移相器分别连接到光合束器。
2.根据权利要求1所述的硅基单片集成量子密钥分发发送方芯片结构，其特征在于，所述第一强度调制器、第二强度调制器、偏振调制器、可调光衰减器之间通过平面光波导建立光连接通道。
3.根据权利要求1所述的硅基单片集成量子密钥分发发送方芯片结构，其特征在于，所述偏振调制器包括第二光分束器、一路第二硅基移相器、偏振旋转合束器；所述第二光分束器一路通过第二硅基移相器连接到偏振旋转合束器，另一路直接连接到偏振旋转合束器。
4.根据权利要求3所述的硅基单片集成量子密钥分发发送方芯片结构，其特征在于，所述第二光分束器、第二硅基移相器、偏振旋转合束器之间的光路通过平面光波导形成光连接通道。
5.根据权利要求3所述的硅基单片集成量子密钥分发发送方芯片结构，其特征在于，所述第一硅基移相器、第二硅基移相器为使用槽线GS结构电极的单驱动移相器或使用共面波导GSG结构电极的双驱动移相器，所述可调光衰减器为电吸收型可调光衰减器。
6.根据权利要求3至5任一项所述的硅基单片集成量子密钥分发发送方芯片结构，其特征在于，所述第一光分束器、第二光分束器为多模干涉仪的光分束器或Y分支的光分束器；所述光合束器为多模干涉仪的光合束器或Y分支的光合束器。
7.一种权利要求1至6任一项所述的硅基单片集成量子密钥分发发送方芯片结构的封装结构，其特征在于，封装结构外围具有Y个引脚，其中引脚1和引脚2分别为硅基单片集成量子密钥分发发送方芯片结构的光输入端口及光输出端口，即引脚1连接内部的第一强度调制器，引脚2连接内部的可调光衰减器的输出端口，其他引脚3-Y为内部光学芯片电极引出的pin脚。
8.根据权利要求7所述的硅基单片集成量子密钥分发发送方芯片结构的封装结构，其特征在于，作为光输入端口及光输出端口的引脚1和引脚2位于封装结构的相对两侧。
9.根据权利要求7所述的硅基单片集成量子密钥分发发送方芯片结构的封装结构，其特征在于，作为光输入端口及光输出端口的引脚1和引脚2位于封装结构的同一侧。
10.根据权利要求7所述的硅基单片集成量子密钥分发发送方芯片结构的封装结构，其特征在于，作为光输入端口及光输出端口的引脚1和引脚2位于封装结构的相邻两侧。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科大国盾量子技术股份有限公司，未经科大国盾量子技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711337223.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
