[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

设置在所述衬底上的多个下电极，其中所述多个下电极中的各下电极在第一方向和交叉所述第一方向的第二方向上重复地布置；以及

第一电极支撑件，其接触所述下电极中的至少一个的侧壁以支撑所述下电极中的所述至少一个，

其中所述第一电极支撑件包括第一支撑区域和设置在所述第一支撑区域的边界处的第二支撑区域，其中所述第一支撑区域包括第一开口，

其中所述第一电极支撑件的外侧壁包括在所述第一方向上延伸的第一侧壁、在所述第二方向上延伸的第二侧壁以及连接所述第一侧壁与所述第二侧壁的连接侧壁，

其中所述第二支撑区域包括所述连接侧壁，以及

其中，在所述第二支撑区域的第一部分中，所述第二支撑区域的所述第一部分的宽度在远离所述第一支撑区域的方向上减小。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述下电极中的至少一个与所述第二支撑区域接触。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述下电极包括在所述第一方向上布置的下电极的行，以及

其中所述下电极的所述行中的分别设置在所述下电极的所述行的彼此相反端处的第一下电极和第二下电极与所述第二支撑区域接触。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括设置在所述衬底与所述第一电极支撑件之间的第二电极支撑件，

其中所述第二电极支撑件与所述下电极中的所述至少一个的所述侧壁接触以支撑所述下电极中的所述至少一个，其中所述第二电极支撑件的外侧壁具有与所述第一电极支撑件的所述外侧壁的形状对应的形状。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述第二电极支撑件包括第三支撑区域和设置在所述第三支撑区域的边界处的第四支撑区域，其中所述第三支撑区域包括第二开口。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一开口和所述第二开口彼此交叠。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一电极支撑件的上表面的对应于所述连接侧壁的第一边界在第三方向上延伸，其中所述第三方向交叉所述第一方向和所述第二方向。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述下电极中的一对相邻下电极彼此间隔开第一距离，

其中所述第一电极支撑件的所述上表面的所述第一边界与所述下电极中的最邻近于所述第一电极支撑件的所述上表面的所述第一边界设置的下电极间隔开第二距离，以及

其中所述第一距离和所述第二距离基本上彼此相等。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述连接侧壁在所述第一方向或所述第二方向中的至少一个上交叠所述下电极。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一电极支撑件的上表面的对应于所述连接侧壁的第一边界具有Z字形形状。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一电极支撑件的上表面的对应于所述连接侧壁的第一边界具有波浪形状。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一支撑区域包括多个所述第一开口，

其中所述下电极中的与所述第一支撑区域接触的第一下电极被所述第一开口中的不超过一个第一开口暴露。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述下电极的最上表面与所述第一电极支撑件的上表面齐平。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述下电极中的至少一个相对于所述衬底的第一表面突出得高于所述第一电极支撑件的上表面。