[发明专利]用于MRI系统的混合型开关功率放大器及其控制方法有效
申请号: | 201711337503.8 | 申请日: | 2017-12-14 |
公开(公告)号: | CN108011602B | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 陈启兴;成竹 | 申请(专利权)人: | 苏州众能医疗科技有限公司 |
主分类号: | H03F3/217 | 分类号: | H03F3/217 |
代理公司: | 苏州维进专利代理事务所(普通合伙) 32507 | 代理人: | 程东辉 |
地址: | 215000 江苏省苏州市工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 mri 系统 混合 开关 功率放大器 及其 控制 方法 | ||
1.一种用于MRI系统的混合型开关功率放大器,其特征在于,包括:
至少两个IGBT全桥,
至少一个MOSFET全桥,以及
控制所述IGBT全桥和所述MOSFET全桥输出的控制器;
各个所述IGBT全桥的输出端、各个所述MOSFET全桥的输出端相互串联或并联混合拓扑;
第一IGBT全桥的输出端与第二IGBT全桥的输出端相串联,第一MOSFET全桥的输出端与所述第二IGBT全桥的输出端相并联。
2.如权利要求1所述的用于MRI系统的混合型开关功率放大器,其特征在于,所述第一IGBT全桥的输出端还扩展串联若干第三IGBT全桥的输出端。
3.如权利要求2所述的用于MRI系统的混合型开关功率放大器,其特征在于,至少其中一个所述第三IGBT全桥的输出端还扩展并联若干第四IGBT全桥的输出端。
4.如权利要求3所述的用于MRI系统的混合型开关功率放大器,其特征在于,所述第一MOSFET全桥的输出端扩展串联若干第二MOSFET全桥的输出端,从而构成串联MOSFET组,所述串联MOSFET组的输出端与所述第二IGBT全桥的输出端相并联。
5.如权利要求4所述的用于MRI系统的混合型开关功率放大器,其特征在于,至少其中一个所述第二MOSFET全桥的输出端还扩展并联若干第三MOSFET全桥的输出端。
6.如权利要求1所述的用于MRI系统的混合型开关功率放大器,其特征在于,
所述IGBT全桥包括:
全桥连接的四个IGBT功率开关管,以及
与这四个IGBT功率开关管构成的全桥电路的输入端连接的高压电源;
所述MOSFET全桥包括:
全桥连接的四个MOSFET功率开关管,
以及与这四个MOSFET功率开关管构成的全桥电路的输入端连接的低压电源。
7.如权利要求1所述的用于MRI系统的混合型开关功率放大器,其特征在于,所述控制器为PWM信号发生器,所述PWM信号发生器与构成所述IGBT全桥的各个IGBT功率开关管以及构成所述MOSFET全桥的各个MOSFET功率开关管均分别相连。
8.一种如权利要求1至7中任一所述用于MRI系统的混合型开关功率放大器的控制方法,其特征在于,包括:
在所述混合型开关功率放大器需要输出小电流时,控制各个所述IGBT全桥工作在0V模式;
在所述混合型开关功率放大器需要输出大电流时,控制各个所述MOSFET全桥工作在高阻抗续流模式;
在所述混合型开关功率放大器需要输出中电流时,控制各个所述IGBT全桥和各个所述MOSFET全桥交替工作。
9.如权利要求8所述的控制方法,其特征在于,在所述混合型开关功率放大器需要输出大电流时,所述MOSFET全桥首先完全打开,输出MRI系统所需要的部分电流,在此同时,所述IGBT全桥处在由关闭到开启的过程中;一旦IGBT全桥开启,之前打开的所述MOSFET全桥视电流情况部分关闭或者完全关闭、而工作在高阻抗续流模式。
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