[发明专利]一种带高阶曲率补偿的带隙基准电压源有效

专利信息
申请号: 201711337876.5 申请日: 2017-12-14
公开(公告)号: CN108052150B 公开(公告)日: 2020-03-10
发明(设计)人: 胡建伟;罗旭程;程剑涛 申请(专利权)人: 上海艾为电子技术股份有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 200233 上海市徐*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 带高阶 曲率 补偿 基准 电压
【权利要求书】:

1.一种带高阶曲率补偿的带隙基准电压源,其特征在于,包括:启动电路、带隙核心电路和高阶曲率补偿电路,其中:

所述启动电路的输入端与所述带隙核心电路的输出端相连,所述启动电路的输出端与所述带隙核心电路的第一输入端相连,所述高阶曲率补偿电路的输出端与所述带隙核心电路的第二输入端相连,所述带隙核心电路的输出即为基准电压源,所述启动电路串接于电源电压和系统地之间,所述带隙核心电路串接于所述电源电压和所述系统地之间,所述高阶曲率补偿电路串接于所述电源电压和所述系统地之间;

所述启动电路用于为所述带隙核心电路提供启动电流,所述启动电路包括:第一开关管、第二开关管、第三开关管和第一电阻,其中:所述第一开关管的栅极作为所述启动电路的输入端与所述带隙核心电路的输出端相连;所述第一开关管的漏极与所述第二开关管的漏极相连,其公共端与所述第一电阻的一端相连,所述第一电阻的另一端与所述电源电压相连;所述第二开关管的栅极和漏极相连,所述第三开关管的漏极作为所述启动电路的输出端与所述带隙核心电路的第一输入端相连;所述第一开关管的源极、所述第二开关管的源极和所述第三开关管的源极相连,并与所述系统地相连;

所述高阶曲率补偿电路用于为所述带隙核心电路提供补偿电流;

所述带隙核心电路用于产生带隙正温度特性基准电源电压;

所述高阶曲率补偿电路结合线性的正温度系数的正温度特性与所述第三开关管工作在共射极的电流放大系数的正温度特性,构建高阶负温度特性补偿电路,用来补偿所述带隙基准电压源低温段的温度特性。

2.根据权利要求1所述的带高阶曲率补偿的带隙基准电压源,其特征在于,所述第一开关管、所述第二开关管和所述第三开关管为NMOS管。

3.根据权利要求1所述的带高阶曲率补偿的带隙基准电压源,其特征在于,所述带隙核心电路包括:第四开关管、第五开关管、第六开关管、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第一NPN三极管、第二NPN三极管及运算放大器,其中:

所述第五开关管的源极、所述第六开关管的源极与所述电源电压相连,所述第五开关管的栅极和所述第六开关管的栅极相连,所述第五开关管的栅极和所述第五开关管的漏极相连;

所述第五开关管的漏极与所述第四开关管的漏极相连,且其公共端作为所述带隙核心电路的第一输入端与所述启动电路的输出端相连;

所述第四开关管的栅极与所述运算放大器的输出端相连,所述运算放大器的正相输入端与所述第四电阻和所述第一NPN三极管的发射极的公共端相连,所述第一NPN三极管的基极和集电极与所述系统地相连;

所述运算放大器的反相输入端与所述第五电阻和所述第六电阻的公共端相连,所述第六电阻的另一端与所述第二NPN三极管的发射极相连,所述第二NPN三极管的基极和集电极与所述系统地相连;

所述第四电阻和所述第五电阻的公共端与所述第三电阻的一端相连,所述第三电阻的另一端与所述第二电阻的一端相连;

所述第二电阻的另一端与所述第六开关管的源极相连,且其公共端作为所述带隙核心电路的输出端相连,同时其公共端作为所述带隙核心电路的第三输入端与所述高阶曲率补偿电路的第二输出端相连;

所述第二电阻和所述第三电阻的公共端作为所述带隙核心电路的第二输入端与所述高阶曲率补偿电路的第一输出端相连。

4.根据权利要求3所述的带高阶曲率补偿的带隙基准电压源,其特征在于,所述第四开关管为NMOS管。

5.根据权利要求3所述的带高阶曲率补偿的带隙基准电压源,其特征在于,所述第五开关管和所述第六开关管为PMOS管。

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