[发明专利]一种低功耗信号能量指示电路

权利要求书

1.一种低功耗信号能量指示电路，其特征在于，该电路包括：跨导级电路、全波整流器和低通滤波电路；其中，

所述跨导级电路，用于将待检测的第一电压信号和第二电压信号转换成第一电流信号和第二电流信号；

所述全波整流器，用于将所述第一电流信号和所述第二电流信号进行求和生成第三电流信号，并将所述第三电流信号进行放大生成第四电流信号，向所述低通滤波电路输出所述第四电流信号；

所述低通滤波电路，用于对所述第四电流信号进行低通滤波处理，并通过滤波电容生成目标电压信号。

2.根据权利要求1所述的低功耗信号能量指示电路，其特征在于，所述跨导级电路采用折叠级联运算跨导放大电路。

3.根据权利要求1所述的低功耗信号能量指示电路，其特征在于，所述跨导级电路包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管；其中，所述第一NMOS管的栅极为所述第一电压信号的输入端，所述第一NMOS管的漏极与所述第三PMOS管的漏极相连，所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的漏极相连；所述第二NMOS管的源极接地；所述第三PMOS管的漏极依次与所述第四PMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管串联连接，其中，所述第三PMOS管的源极接电源端，所述第四PMOS管的漏极为所述第一电流信号的输出端，所述第六NMOS管的源极接地。

4.根据权利要求1所述的低功耗信号能量指示电路，其特征在于，所述跨导级电路还包括：第七NMOS管、第八NMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一NMOS管和第十二NMOS管；其中，所述第七NMOS管的栅极为所述第二电压信号的输入端，所述第七NMOS管的漏极与所述第九PMOS管的漏极相连，所述第七NMOS管的源极与所述第八NMOS管的漏极相连；所述第八NMOS管的源极接地；所述第九PMOS管的漏极依次与所述第十PMOS管、第十一NMOS管和第十二NMOS管串联连接，其中，所述第九PMOS管的源极接电源端，所述第十PMOS管的漏极为所述第二电流信号的输出端，所述第十二NMOS管的源极接地。

5.根据权利要求1所述的低功耗信号能量指示电路，其特征在于，所述跨导级电路还包括：第一电阻；其中，所述第一电阻一端与所述第一NMOS管的源极相连，另一端与所述第二NMOS管的源极相连。

6.根据权利要求5所述的低功耗信号能量指示电路，其特征在于，所述第一电阻用于抑制所述跨导级电路的交调失真，提高所述跨导级电路的线性度。

7.根据权利要求1所述的低功耗信号能量指示电路，其特征在于，所述全波整流器包括：第十三NMOS管、第十四NMOS管、第十五NMOS管和第十六NMOS管；其中，所述第十三NMOS管的栅极与漏极相连，且与所述第十四NMOS管的源极相连，作为第一电流信号的输入端，所述第十三NMOS管的源极接偏置电压信号；所述第十五NMOS管的栅极与漏极相连，且与所述第十六NMOS管的源极相连，作为第二电流信号的输入端，所述第十五NMOS管的源极接所述偏置电压信号；所述第十四NMOS管的源极与所述第十六NMOS管的源极相连，作为第三电流信号的输出端。

8.根据权利要求1所述的低功耗信号能量指示电路，其特征在于，所述全波整流器还包括：第十七PMOS管和第十八PMOS管；其中，所述第十七PMOS管的栅极与所述第十八PMOS管的栅极相连，并与所述第十四NMOS管的源极相连，所述第十七PMOS管的漏极与所述第十八PMOS管的漏极分别与电源端相连；所述第十八PMOS管的源极为第四电流信号的输出端；所述第十七PMOS管的栅极为第三电流信号的输入端。

9.根据权利要求8所述的低功耗信号能量指示电路，其特征在于，所述第十七PMOS管和第十八PMOS管用于将第三电流信号放大，生成第四电流信号并向所述低通滤波电路输出。

10.根据权利要求1所述的低功耗信号能量指示电路，其特征在于，所述低通滤波电路包括：第二电阻和第一电容；其中，所述第二电阻和所述第一电容并联后一端接地，另一端为第四电流信号的输入端，与所述第十八PMOS管的源极相连。