[发明专利]整流器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种整流器装置，包括：

半导体基板；

阳极端子和阴极端子，所述阳极端子和所述阴极端子通过第一MOS晶体管的负载电流路径以及并联连接至所述负载电流路径的二极管来连接；在所述阳极端子与所述阴极端子之间可操作地施加交流输入电压；以及

控制电路，所述控制电路被配置成使所述第一MOS晶体管在导通时间段内导通，在所述导通时间段期间所述二极管被正向偏置，

其中，所述第一MOS晶体管、所述二极管和所述控制电路被集成在所述半导体基板中。

2.根据权利要求1所述的整流器装置，

其中，所述控制电路被配置成通过检测所述二极管已经变得导通来检测所述导通时间段的开始。

3.根据权利要求1所述的整流器装置，

其中，所述控制电路被配置成通过检测在所述二极管两端的电压降已经达到限定的第一阈值电压来检测所述导通时间段的开始。

4.根据权利要求3所述的整流器装置，

其中，所述控制电路被配置成通过检测在所述第一MOS晶体管的负载电流路径两端的电压降已经达到限定的第二阈值电压来检测所述导通时间段的结束。

5.根据权利要求4所述的整流器装置，其中，所述第二阈值电压比所述第一阈值电压更接近零。

6.根据权利要求1所述的整流器装置，还包括：

至少第二MOS晶体管，所述第二MOS晶体管具有与所述第一MOS晶体管的负载电流路径并联连接的负载电流路径。

7.根据权利要求6所述的整流器装置，

其中，所述控制电路被配置成使所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管基本上同时导通。

8.根据权利要求6所述的整流器装置，

其中，所述控制电路被配置成使所述第二MOS晶体管比所述第一MOS晶体管更迟地关断。

9.根据权利要求8所述的整流器装置，

其中，所述控制电路被配置成通过检测在所述第一MOS晶体管的负载电流路径和所述第二MOS晶体管的负载电流路径两端的电压降已经达到限定的第二阈值电压来检测所述导通时间段的结束；并且

其中，在所述第一MOS晶体管被关断之后，当检测到在所述第一MOS晶体管的负载电流路径和所述第二MOS晶体管的负载电流路径两端的电压降已经达到限定的第三阈值电压时，所述第二MOS晶体管被关断。

10.根据权利要求9所述的整流器装置，

其中，所述第三阈值电压比所述第二阈值电压更接近零。

11.根据权利要求1所述的整流器装置，

其中，所述阳极端子和所述阴极端子是所述整流器装置的仅有的外部端子。

12.根据权利要求1所述的整流器装置，

其中，所述阳极端子处于用作所述控制电路的地电势的参考电势。

13.根据权利要求1所述的整流器装置，

其中，所述第一MOS晶体管是第一MOSFET，并且所述二极管是所述第一MOSFET的体二极管。

14.根据权利要求13所述的整流器装置，还包括：

第二MOSFET，其中，所述第一MOSFET和所述第二MOSFET均由多个晶体管单元组成。

15.根据权利要求14所述的整流器装置，

其中，所述第一MOSFET和所述第二MOSFET是垂直DMOS晶体管。