[发明专利]灰阶掩膜版制作方法

权利要求书

1.一种灰阶掩膜版制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在基板一侧表面形成灰阶层；

在所述灰阶层表面形成遮光层；

在所述遮光层表面形成光阻层；

对形成所述光阻层后的半成品进行初次曝光，通过调整控制不同区域的曝光能量，使所述光阻层在不同区域分别形成第一完全感光区、第一不完全感光区和非感光区；

对初次曝光后的半成品进行初次显影，第一完全感光区的光阻材料与显影液反应被去除形成第一完全显影区，第一不完全感光区的光阻材料与显影液反应不充分留下第一预定厚度的光阻材料形成第一不完全显影区，非感光区的光阻材料不与显影液反应形成非显影区；

对初次显影后的半成品进行初次蚀刻，分别依次采用只与遮光层反应的第一蚀刻液蚀除对应于第一完全显影区的遮光层，然后采用只与灰阶层反应的第二蚀刻液蚀除对应于第一完全显影区的灰阶层形成第一蚀刻区，而表面有光阻层的第一不完全显影区和非显影区不与所述第一蚀刻液和所述第二蚀刻液反应而对应形成第一非蚀刻区；

对初次蚀刻后的半成品进行二次曝光，通过控制曝光能量，使第一不完全感光区完全感光形成第二完全感光区，非感光区不完全感光形成第二不完全感光区；

对二次曝光后的半成品进行二次显影，第二完全感光区的光阻材料与显影液反应被去除形成第二完全显影区，第二不完全感光区的光阻材料与显影液反应不充分留下第二预定厚度的光阻材料形成第二不完全显影区；

对二次显影后的半成品进行二次蚀刻，采用不与灰阶层反应的第一蚀刻液蚀除与第二完全显影区对应的遮光层而保留与第二完全显影区对应灰阶层形成第二蚀刻区，表面有光阻层的第二不完全显影区形成第二非蚀刻区；

对二次蚀刻后的半成品进行脱膜，去除残留的光阻层，获得带有透光层图案、灰阶层图案和遮光层图案的灰阶掩膜版成品。

2.根据权利要求1所述的灰阶掩膜版制作方法，其特征在于，对二次蚀刻后的半成品进行脱膜时，采用能与光阻材料反应的脱膜液通过化学反应去除光阻层。

3.根据权利要求1所述的灰阶掩膜版制作方法，其特征在于，所述基板是钠钙玻璃、石英玻璃或硼硅玻璃。

4.根据权利要求1所述的灰阶掩膜版制作方法，其特征在于，所述灰阶层是SnO₂、In₂O₃、ITO、AZO、TiO₂、SiNO_x或MoSi构成的膜层或者由至少两种所述膜层层叠形成的叠层。

5.根据权利要求1所述的灰阶掩膜版制作方法，其特征在于，所述遮光层是由Cr或CrO_x形成的膜层，或者是所述膜层层叠形成的叠层。

6.根据权利要求1所述的灰阶掩膜版制作方法，其特征在于，采用物理溅射或化学沉积的方法在基板一侧形成灰阶层。

7.根据权利要求1所述的灰阶掩膜版制作方法，其特征在于，采用物理溅射或化学沉积的方法在灰阶层表面形成遮光层。

8.根据权利要求1所述的灰阶掩膜版制作方法，其特征在于，采用Spin涂覆工艺或者Slit涂覆工艺将光阻材料涂布在所述遮光层表面形成光阻层。