[发明专利]一种电离式传感器的制造方法

权利要求书

1.一种电离式传感器的制造方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：

第一步，在微纳电极基片的基体材料正面制备微纳放电电极阵列，在所述微纳电极基片的基体材料背面制作背面电极，所述微纳电极基片的基体材料是导体、半导体或者是带有正背面导电连接孔的绝缘体；

第二步，在转接板的基体材料正面制作转接板正面电极，所述转接板的基体材料是绝缘体；

第三步，将所述微纳电极基片的背面电极与所述转接板正面电极连接并固定；

第四步，将所述微纳电极基片切断但不切断所述转接板，从而在所述微纳放电电极阵列之间形成一条或者多条气体间隙；

第五步,将所述转接板与信号检测电路相连，检测传感器输出信号；所述微纳放电电极阵列由单个结构单元组成，或者所述微纳放电电极阵列由多个结构单元组成，所述多个结构单元组成的所述微纳放电电极阵列在所述第四步中所述微纳电极基片被切断形成气体间隙，并被切片形成单一器件；

所述第二步中，还包括在所述转接板的基体材料背面制作转接板背面电极，并在所述转接板背面电极和所述转接板正面电极之间设置导电孔，使正面和背面的导电层相连。

2.如权利要求1所述的电离式传感器的制造方法，其特征在于，所述微纳放电电极阵列是由一维纳米材料制作的微米电极阵列，或者是表面覆盖纳米材料的微米电极阵列。

3.如权利要求2所述的电离式传感器的制造方法，其特征在于，所述步骤第一步

中，所述的微纳电极基片的基体材料为晶元级单晶硅，所述微纳放电电极阵列是所述晶元级单晶硅通过化学腐蚀的方法制备出的硅纳米线阵列。

4.如权利要求1所述的电离式传感器的制造方法，其特征在于，所述转接板的基体材料是玻纤环氧板，所述转接板正面电极为表面沉金的焊盘，所述微纳电极基片的背面电极通过焊接与所述转接板正面电极连接并相对固定。

5.如权利要求1所述的电离式传感器的制造方法，其特征在于，所述转接板的

基体材料是玻璃，所述转接板正面电极为沉积铬金薄膜，所述微纳电极基片的背面电极通过金-金键合与所述转接板正面电极连接并固定。

6.如权利要求1、3、4或5任一项所述的电离式传感器的制造方法，其特征在于，所述第四步中，将所述微纳电极基片切断但不切断所述转接板的方法为激光切割、电子束切割、聚焦离子束切割或者基于光刻的图形转移技术。

7.如权利要求4或5任一项所述的电离式传感器的制造方法，其特征在于，所述气体间隙为一条宽度为50微米的锯齿状折线，或者所述气体间隙为十条宽度为20微米的曲线。

8.如权利要求1、3、4或5任一项所述的电离式传感器的制造方法，其特征在于，在所述第四步和第五步中间，还包括将所述第四步工艺中产生的残渣清洗掉的步骤。