[发明专利]一种基于跨导系数修正结构的混频器

权利要求书

1.一种基于跨导系数修正结构的混频器，其特征在于：包括依次电连接的跨导级电路、开关级电路和负载级电路，其中，所述跨导级电路采用跨导系数修正结构和源简并电感结构；

所述跨导级电路，其用于接入射频电压信号，并将射频电压信号转化为射频电流信号，且对射频电流信号进行反复使用；

所述开关级电路，其用于接入本振信号和射频电流信号，并根据本振信号控制所述开关级电路设置的多个开关管轮流导通，且利用多个开关管轮流导通对射频电流信号进行切换调制，生成中频电流信号传输至负载级电路；

所述负载级电路，其用于将中频电流信号转换成电压信号进行输出；

所述跨导级电路包括晶体管M1～M7、电感L1、电容C1、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻Rb1和电阻Rb2；所述晶体管M1的栅极与射频电压信号的正极端RF+连接，所述晶体管M1的漏极与所述电感L1的一端连接，所述晶体管M1的源级接地，所述电感L1的另一端与所述晶体管M2的漏极连接；所述晶体管M3的栅极与所述晶体管M4的栅极连接，所述晶体管M3的漏极与所述晶体管M1的漏极连接，所述晶体管M3的漏极还与所述开关级电路连接，所述晶体管M3的源级接地；所述晶体管M2的栅极与射频电压信号的负极端RF-连接，所述晶体管M2的源级接地；所述晶体管M4的漏极与所述晶体管M2的漏极连接，所述晶体管M4的漏极还与所述开关级电路连接，所述晶体管M4的源级接地；所述电阻Rb2的一端连接直流偏置电压v2，所述电阻Rb2的另一端与所述晶体管M3的栅极连接；所述晶体管M5的栅极与射频电压信号的正极端RF+连接，所述晶体管M5的漏极与所述电容C1的一端连接，所述晶体管M5的源级接地，所述电容C1的另一端与所述晶体管M7的栅极连接；所述晶体管M6的栅极与射频电压信号的负极端RF-连接，所述晶体管M6的源级接地，所述晶体管M6的漏极与所述晶体管M5的漏极连接；所述电阻Rb1的一端与所述晶体管M7的栅极连接，所述电阻Rb1的另一端连接直流偏置电压V1；所述晶体管M7的源级接地，所述晶体管M7的漏极与所述电阻R2的一端连接，所述R2的另一端连接电压VDD；所述电阻R1的一端与所述晶体管M5的漏极连接，所述电阻R1的另一端连接电压VDD；所述电容C2的一端与所述晶体管M7的漏极连接，所述电容C2的另一端与所述晶体管M4的栅极连接。

2.根据权利要求1所述的一种基于跨导系数修正结构的混频器，其特征在于：所述开关级电路包括晶体管M8～M11，所述晶体管M8的栅极与本振信号的正极端LO+连接，所述晶体管M8的源级与所述晶体管M1的漏极连接，所述晶体管M8的漏极与所述负载级电路连接；所述晶体管M9的栅极与本振信号的负极端LO-连接，所述晶体管M9的源级与所述晶体管M8的源极连接，所述晶体管M9的漏极与所述晶体管M11的漏极连接；所述晶体管M10的栅极与本振信号的负极端LO-连接，所述晶体管M10的源级与所述晶体管M2的漏极连接，所述晶体管M10的漏极与所述晶体管M8的漏极连接；所述晶体管M11的栅极与本振信号的负极端LO+连接，所述晶体管M11的源级与所述晶体管M2的漏极连接，所述晶体管M11的漏极与所述负载级电路连接。

3.根据权利要求2所述的一种基于跨导系数修正结构的混频器，其特征在于：所述负载级电路包括电阻R3、电阻R4、电容C3和电容C4；所述电阻R3的一端与所述晶体管M8的漏极连接，所述电阻R3的另一端与电源电压VDD连接；所述电容C3的一端与所述晶体管M8的漏极连接，所述电容C3的另一端与电源电压VDD连接；所述电阻R4的一端与所述晶体管M11的漏极连接，所述电阻R4的另一端与电源电压VDD连接；所述电容C4的一端与所述晶体管M11的漏极连接，所述电容C4的另一端与电源电压VDD连接。

4.根据权利要求3所述的一种基于跨导系数修正结构的混频器，其特征在于：还包括电流注入电路，所述电流注入电路包括晶体管M12和晶体管M13，所述晶体管M12的栅极连接与直流偏置电压V0连接，所述晶体管M12的源极与电源电压VDD连接，所述晶体管M12的漏极与所述晶体管M9的源极连接；所述晶体管M13的栅极与所述晶体管M12的栅极连接，所述晶体管M13的漏极与所述晶体管M10的源极连接，所述晶体管M13的源级与电源电压VDD连接。

5.根据权利要求4所述的一种基于跨导系数修正结构的混频器，其特征在于：所述晶体管M1～M11均为NMOS管，所述晶体管M12～M13均为PMOS管。