[发明专利]一种改善隧穿氧化层生长工艺中晶圆抖动的方法有效
| 申请号： | 201711340470.2 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108054121B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 马鸣明;张伟光 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 氧化 生长 工艺 中晶圆 抖动 方法 | ||
1.一种改善隧穿氧化层生长工艺中晶圆抖动的方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1对一半导体衬底进行隧穿氧化层生长工艺；
S2对进行了隧穿氧化层生长工艺的所述半导体衬底进行退火工艺：对反应腔加温，同时通入氢气和氧气，使反应腔内气压保持不变；
S3退火反应一定时间；
S4停止对所述反应腔加温，使反应腔内温度降低；
S5关闭氢气，减少氧气通气量，并同时通入氮气，使反应腔内气压保持不变；
S6等降温后，完成所述退火工艺。
2.根据权利要求1所述的改善隧穿氧化层生长工艺中晶圆抖动的方法，其特征在于：所述S2步骤中，加温温度为1000-1100摄氏度。
3.根据权利要求1所述的改善隧穿氧化层生长工艺中晶圆抖动的方法，其特征在于：所述S2步骤中，反应腔内气压为5000-6000pa。
4.根据权利要求1所述的改善隧穿氧化层生长工艺中晶圆抖动的方法，其特征在于：所述S3步骤中，退火反应时间为60-120s。
5.根据权利要求1所述的改善隧穿氧化层生长工艺中晶圆抖动的方法，其特征在于：所述S2步骤中，加温温度为1075摄氏度。
6.根据权利要求1所述的改善隧穿氧化层生长工艺中晶圆抖动的方法，其特征在于：所述S5步骤中，所述氧气通气量减少一半。
7.根据权利要求1所述的改善隧穿氧化层生长工艺中晶圆抖动的方法，其特征在于：所述S2步骤中，所述反应腔内气压保持在5800pa。
8.根据权利要求1所述的改善隧穿氧化层生长工艺中晶圆抖动的方法，其特征在于：所述S3步骤中，退火反应时间为80s。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
