[发明专利]集成电路紫外负性光刻胶的生产装置

说明书

集成电路紫外负性光刻胶的生产装置，主要包括：溶胶釜(D101)、环化釜(D102)、冷冻室(L101)、调胶釜(D103)、过滤机(L102)、百级超净间(L103)，其中，环化釜(D102)分别与溶胶釜(D101)、冷冻室(L101)相连接，过滤机(L102)分别与调胶釜(D103)、百级超净间(L103)相连接，其中，溶胶釜(D101)公称容积420‑450L。

技术领域

本发明涉及化合物合成装置，尤其涉及集成电路紫外负性光刻胶的生产装置。

背景技术

紫外负性光刻胶主要用于中小规模集成电路、分离器件、半导体器件及其他微型器件的光刻。现有的生产装置大多比较复杂，紫外负性光刻胶作为集成电路光刻胶，其生产装置优劣对于提高产品质量，减少副产物含量具有重要经济意义。

发明内容

本发明的目的在于提供集成电路紫外负性光刻胶的生产装置，主要包括：溶胶釜(D101)、环化釜(D102)、冷冻室(L101)、调胶釜(D103)、过滤机(L102)、百级超净间(L103)，其中，环化釜(D102)分别与溶胶釜(D101)、冷冻室(L101)相连接，过滤机(L102)分别与调胶釜(D103)、百级超净间(L103)相连接，其中，溶胶釜(D101)公称容积420-450L，环化釜(D102)内锅直径850-900mm,百级超净间(L103)滤膜孔径0.11-0.12μm。

集成电路紫外负性光刻胶的生产装置，生产流程为：将聚异戊二烯、二甲苯加入溶胶釜D101中，在30-36℃温度下搅拌使聚异戊二烯充分溶解。物料导入环化釜D102，将温度升至80-86℃，加入环化催化剂，保持反应温度90～95℃进行环化，反应过程中不断监测聚异戊二烯环化的程度，到达规定程度时，加入终止剂对苯二酚，在L101中冷冻去除催化剂。物料继续输送到调胶釜D103，在环化橡胶溶液中加入交联剂2，6-双对氮叠苯亚苄基环己酮，并调整胶液的各项应用参数达到要求，经L102过滤，转入级超净间L103百进行超净过滤，洁净度达标后，分装,得产品。本发明优点在于：减少了反应中间环节，降低了反应温度及反应时间，提高了反应收率。

附图说明

图1是集成电路紫外负性光刻胶的生产装置，主要包括：溶胶釜(D101)、环化釜(D102)、冷冻室(L101)、调胶釜(D103)、过滤机(L102)、百级超净间(L103)。

具体实施方式

下面结合具体实施实例对本发明作进一步说明：

实例1：

生产原料与用量

集成电路紫外负性光刻胶的生产装置，主要包括：溶胶釜(D101)、环化釜(D102)、冷冻室(L101)、调胶釜(D103)、过滤机(L102)、百级超净间(L103)，其中，环化釜(D102)分别与溶胶釜(D101)、冷冻室(L101)相连接，过滤机(L102)分别与调胶釜(D103)、百级超净间(L103)相连接，其中，溶胶釜(D101)公称容积420L，环化釜(D102)内锅直径850mm,百级超净间(L103)滤膜孔径0.11μm。

集成电路紫外负性光刻胶的生产装置，生产流程为：将聚异戊二烯、二甲苯加入溶胶釜D101中，在30℃温度下搅拌使聚异戊二烯充分溶解。物料导入环化釜D102，将温度升至80℃，加入环化催化剂，保持反应温度90℃进行环化，反应过程中不断监测聚异戊二烯环化的程度，到达规定程度时，加入终止剂对苯二酚，在L101中冷冻去除催化剂。物料继续输送到调胶釜D103，在环化橡胶溶液中加入交联剂2，6-双对氮叠苯亚苄基环己酮，并调整胶液的各项应用参数达到要求，经L102过滤，转入级超净间L103百进行超净过滤，洁净度达标后，分装,得产品。

产品质量