[发明专利]透明导电膜形成用靶材及其制造方法、透明导电膜及其制造方法

权利要求书

1.一种透明导电膜形成用靶材，包含In、Sn、Zn、O，Sn/(In+Sn+Zn)＝7～17at％，Zn/(In+Sn+Zn)＝0.5～12at％，Sn与Zn的原子数比即Sn/Zn为1.3以上，并且通过XRD测定得到的Sn₃In₄O₁₂结晶相相对于In₂O₃结晶相的峰强度比(Sn₃In₄O₁₂/In₂O₃)为0.10以下，相对密度为97％以上，所述透明导电膜形成用靶材的体积电阻为0.1～0.5mΩcm。

2.根据权利要求1所述的透明导电膜形成用靶材，其中，

所述透明导电膜形成用靶材的体积电阻为0.1～0.4mΩcm。

3.一种透明导电膜形成用靶材的制造方法，该方法包括：

将氧化铟、氧化锡和氧化锌分别粉碎，之后进行混合使Sn/(In+Sn+Zn)＝7～17at％、Zn/(In+Sn+Zn)＝0.5～12at％、并且Sn与Zn的原子数比即Sn/Zn达到1.3以上，

将混合物在氧气气氛中、在1300～1600℃下烧成5～40小时，

从而得到包含In、Sn、Zn和O、且通过XRD测定得到的Sn₃In₄O₁₂结晶相相对于In₂O₃结晶相的峰强度比(Sn₃In₄O₁₂/In₂O₃)为0.10以下的透明导电膜形成用靶材。

4.一种透明导电膜的制造方法，该方法包括：溅镀权利要求1或2所述的透明导电膜形成用靶材，以形成非晶质的透明导电膜。

5.一种透明导电膜的制造方法，该方法包括：蚀刻权利要求4所述的非晶质的透明导电膜，之后在结晶化温度以上进行热处理使其结晶化，从而形成结晶质的透明导电膜。