[发明专利]一种钴掺杂二硫化钼原位电极及其制备方法有效
| 申请号： | 201711342109.3 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108046338B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 黄妞;郑方;孙小华;孙盼盼 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | C01G51/00 | 分类号： | C01G51/00 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443002*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 二硫化钼 原位 电极 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种钴掺杂二硫化钼原位电极的制备方法，其特征在于，具体制备方法如下：
（1）在室温下，将氯化钼溶于乙醇溶液中，再加入金属钴盐，再加入硫脲，搅拌溶解，得到Co-Mo-S前躯液，金属钴盐与氯化钼的摩尔比为1: 9，氯化钼的浓度为100~700 mM，金属原子与硫脲的摩尔比为1：2~7；
（2）将上述前躯液滴涂或旋涂到基底上，70~100℃快速干燥，得到前驱膜；
（3）将步骤二中前驱膜于氩气或氮气保护中经600℃烧结0.5~2 h，随炉冷却取出即可得到钴掺杂二硫化钼原位电极；
所述的钴掺杂二硫化钼原位电极为10at%的钴均匀替代了钼所形成的钴掺杂二硫化钼，钴掺杂二硫化钼的物相为2H型二硫化钼，化学式为Co0.1Mo0.9S2，所述的钴为纳米颗粒状。
2.根据权利要求1所述的钴掺杂二硫化钼原位电极的制备方法，其特征在于，所述的金属钴盐为可溶于极性溶剂的盐，包括硫酸钴、氯化钴、硝酸钴、乙酸钴、草酸钴或碳酸氢钴。
3.根据权利要求1所述的钴掺杂二硫化钼原位电极的制备方法，其特征在于，所述的步骤（2）中将上述前躯液滴涂或旋涂到基底上，70~100℃于干燥空气中自然干燥或于热台上干燥5-15min，得到前驱膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三峡大学，未经三峡大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711342109.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：ITO薄膜的制备方法
- 下一篇：柔软型聚酯纤维及其制备方法
