[发明专利]一种低导通电阻的碳化硅功率半导体器件

权利要求书

1.一种低导通电阻的碳化硅功率半导体器件，所述低导通电阻的碳化硅功率半导体器件为轴对称结构，包括：N型衬底（1），在N型衬底（1）的一侧连接有漏极金属（10），在N型衬底（1）的另一侧设有N型漂移区（2），在N型漂移区（2）中对称设置一对P型基区（3），在各P型基区（3）中分别设有P+型体接触区（4）和N+型源区（5），在N型漂移区（2）的表面设有栅氧层（7），在栅氧层（7）的表面设有多晶硅栅（8），在多晶硅栅（8）上设有钝化层（6）且所述钝化层（6）包裹多晶硅栅（8）的两侧，在N+型源区（5）和P+型体接触区（4）连接有源极金属（9），其特征在于：在各P型基区（3）体内分别设有由N-型区（11）构成的阵列且所述阵列位于所述器件横向平面内并被P型基区（3）包裹在P型基区（3）内部，上表面与栅氧层（7）相分离，所述N-型区（11）始于N+型源区（5）沿沟道方向水平延伸至N型漂移区（2），在器件栅宽方向上N-型区（11）与P型基区（3）间隔分布，且当栅极电压为零时N-型区（11）在P型基区（3）的辅助耗尽下恰好完全夹断。

2.根据权利要求1所述的低导通电阻的碳化硅功率半导体器件，其特征在于，所述N-型区（11）上表面与栅氧层（7）之间的距离为0.2-0.3μm。

3.根据权利要求1所述的低导通电阻的碳化硅功率半导体器件，其特征在于，所述N-型区（11）厚度为150-250nm。

4. 根据权利要求1所述的低导通电阻的碳化硅功率半导体器件，其特征在于，所述N-型区（11）的掺杂浓度为1e16-4e17 cm^-3。

5.根据权利要求1所述的低导通电阻的碳化硅功率半导体器件，其特征在于，所述N-型区（11）的宽度与栅宽的比例为（0.1-0.5）:1。

6.根据权利要求1所述的低导通电阻的碳化硅功率半导体器件，其特征在于，所述的被P型基区（3）包裹在P型基区（3）内部的N-型区（11）阵列不止一层，当栅极电压为零时各层N-型区（11）阵列在P型基区（3）的辅助耗尽下均恰好完全夹断。