[发明专利]半导体芯片的压焊组件制作方法

说明书

本发明提供了一种半导体芯片的压焊组件制作方法，包括：在半导体衬底表面形成压焊快；在所述半导体衬底表面形成钝化层，所述钝化层覆盖所述压焊块，且其为包括多个钝化材料膜层的复合膜层；对所述钝化层的多个钝化材料膜层依次进行刻蚀，使得所述钝化层在所述压焊块所在位置形成倒梯形开口；通过所述倒梯形开口在所述压焊块表面形成金属加厚层。本发明提供的方案可以解决压焊块加厚的难题，提高工艺的可行性，降低工艺成本。

【技术领域】

本发明涉及半导体芯片制造技术领域，特别地，涉及一种半导体芯片的压焊组件制作方法。

【背景技术】

近年来，金线封装逐渐上涨，封装厂开始不断向铜线封装转变。铜线封装有价格低廉、低电阻率、热导高等一系列优势。但铜线硬度较高，打线力度比金线和铝线要大得多，对压焊块的金属层厚度要求也相应增加。由于光刻对准以及刻蚀线宽的控制的限制，芯片制造厂很难简单一味加厚金属层厚度来满足客户打铜线的需求。

针对这种问题，目前有两类办法解决：

方法一：多加一层压焊块反版方法可以使压焊块上的铝层局部加厚，可以满足打铜线的要求。具体为：在钝化层刻蚀完之后，再溅射一层金属层（通常选择铝），涂胶曝光（压焊块反版）显影，然后就可以将压焊块区域以外的铝刻蚀掉，去胶，最后合金化（合金化目的是使得新溅射的铝和下层铝结合得更好）。这样就可以局部加厚压焊块处的金属层厚度。

这种做法虽然能将压焊块处得金属层加厚，但是还是有一些明显的缺陷：钝化层表面生长了金属层后，还需要对此金属层进行光刻与刻蚀，增加了成本和工艺复杂度。这与增加压焊块处金属层的初衷相矛盾。

办法二：通过采用光刻胶剥离工艺的方式，在压焊块处加厚金属层，然后剥离光刻胶，从而去除不需要的金属层。这种做法也存在一些缺陷：

（1）光刻胶是有机物，在200度左右的温度下就会发生流动，常规机台的金属生长温度都会超过这个温度，所以在光刻胶表面生长金属很困难。除非采用特殊的室温生长金属的机台。这就对该工艺的推广应用带来了一定的门槛；

（2）剥离工艺的光刻胶形貌是倒梯形，但是这个倒梯形的倾斜角度不会很大，这就有可能造成后续在生长加厚金属层的时候，无法在光刻胶侧壁处断开。

（3）生长完加厚金属层后需要剥离光刻胶，剥离液需要从光刻胶侧壁逐渐往横向溶解光刻胶，从而去除掉光刻胶表面的金属层。由于此时芯片大部分面积都被加厚金属层覆盖，至少压焊块处的部分，光刻胶的侧壁是裸露的，剥离液只能通过这的位置来横向溶解光刻胶。所以，剥离的效率受到很大影响，基本上是无法顺利剥离的。

有鉴于此，有必要提供一种半导体芯片的压焊组件制作方法，以解决现有技术存在的上述问题。

【发明内容】

本发明的其中一个目的在于为解决上述问题而提供一种半导体芯片的压焊组件制作方法。

本发明提供的半导体芯片的压焊组件制作方法，包括：在半导体衬底表面形成压焊快；在所述半导体衬底表面形成钝化层，所述钝化层覆盖所述压焊块，且其为包括多个钝化材料膜层的复合膜层；对所述钝化层的多个钝化材料膜层依次进行刻蚀，使得所述钝化层在所述压焊块所在位置形成正梯形开口；通过所述正梯形开口在所述压焊块表面形成金属加厚层。

作为在本发明提供的半导体芯片的压焊组件制作方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述多个钝化材料膜层具有不同的刻蚀选择比，在对所述复合膜层的其中一个钝化材料膜层进行刻蚀时，不会对其他钝化材料膜层造成腐蚀。

作为在本发明提供的半导体芯片的压焊组件制作方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述多个钝化材料膜层包括从上至下依次形成在所述半导体衬底表面的第一膜层、第二膜层和第三膜层。