[发明专利]一种激光制造半导体封装器件的方法有效

申请号：	201711345751.7	申请日：	2017-12-15
公开（公告）号：	CN108172522B	公开（公告）日：	2019-10-11
发明（设计）人：	王焕菊;褚宏深;王国庆;宋旭官;黄正信	申请（专利权）人：	丽智电子(昆山)有限公司
主分类号：	H01L21/56	分类号：	H01L21/56;H01L21/48;B23K26/402
代理公司：	南京纵横知识产权代理有限公司 32224	代理人：	董建林
地址：	215300 江苏省苏州***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
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【说明书】：

本发明公开了一种激光制造半导体封装器件的方法，结合激光技术，以陶瓷材料为基板封装半导体，精度高，制作复杂度交低，同时为封装器件提供端电极，可直接组配于电器模组，即节省空间，又提升电器模组组装的效率。

技术领域

本发明涉及一种激光制造半导体封装器件的方法，属于半导体封装领域。

背景技术

随着科学技术的不断发展，电子产品更新迭代的速度也在加快，半导体元件封装技术与其它领域先进技术整合，向小型化、高效能制作发展。目前，电子业界封装器件的制作方法，多属于传统机械加工，对于高階的二极管等半导体元件的器件加工，会有制程精度度不佳、制程复杂度高、甚或无法达到器件设计目的。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种激光制造半导体封装器件的方法。

为了达到上述目的，本发明所采用的技术方案是：

一种激光制造半导体封装器件的方法，包括以下步骤，

在陶瓷基板顶面上切沟，形成若干个组件单元，定义组件单元A侧与B侧相对；

组件单元顶面涂导电膏，并延伸至组件单元A侧，形成下导电路径；

下导电路径上设置半导体晶片，半导体晶片下电极与下导电路径连接；

在陶瓷基板顶面封合一层胶体，并且所有半导体晶片埋入胶体；

用激光打薄胶体，使各个半导体晶片上电极露出的面积至预设值；

在露出的半导体晶片上电极上涂导电膏，并向外延伸至与所在组件单元B侧对齐，形成上导电路径；

在打薄的胶体顶面设置保护层，并且上导电路径和半导体晶片上电极均埋入保护层；

沿切沟裂片，A侧所在的侧面以及B侧所在的侧面上均设置导体层，两导体层分别与上导电路径和下导电路径连接，形成端电极。

切沟包括若干横向切沟和若干纵向切沟，若A侧所在的侧面和B侧所在的侧面均为横向，则裂片时，先沿横向切沟裂片，形成若干条状体，在条状体的两侧设置保护层，然后再沿纵向切沟裂片；若A侧所在的侧面和B侧所在的侧面均为纵向，则裂片时，先沿纵向切沟裂片，形成若干条状体，在条状体的两侧设置保护层，然后再沿横向切沟裂片。

切沟的横截面为V型。

通过模压系统将胶体封合在陶瓷基板顶面。

使用激光薄化系统打薄胶体，激光薄化系统包括聚焦镜、冷却环和工作片，将半成品放置在工作片上，激光依次通过聚光镜和冷却环包覆的出光窗口，以辐射能将成品上的胶体打薄。

激光薄化系统还包括光学影像监测系统，在打薄过程中，记录半导体晶片上电极露出的面积。

一次打薄后，若半导体晶片上电极露出的面积没有达到预设值，则根据记录，在相应位置补足激光量。

本发明所达到的有益效果：本发明结合激光技术，以陶瓷材料为基板封装半导体，精度高，制作复杂度交低，同时为封装器件提供端电极，可直接组配于电器模组，即节省空间，又提升电器模组组装的效率。

附图说明

图1为陶瓷基板的结构示意图；

图2为切沟的结构示意图；

图3为设置半导体晶片后的结构示意图；

图4为封胶后的结构示意图；

图5为打薄胶体后的结构示意图；