[发明专利]金属线蚀刻液组合物

说明书

本发明公开一种蚀刻金属膜而形成构成半导体线路的薄膜晶体管的栅极及源漏区域的金属线蚀刻液组合物。所述金属线蚀刻液组合物，包括：氧化剂；二元醇化合物；不包含氨基的唑类化合物；及水。

技术领域

本发明涉及金属线蚀刻液组合物，更详细地，涉及一种蚀刻金属膜而形成构成半导体线路的薄膜晶体管的栅极及源漏区域的金属线蚀刻液组合物。

背景技术

在液晶显示器(LCD)等显示屏工业领域中对应屏幕的高品质化、高画质化及大面积化，需要提高液晶显示器(LCD)屏幕的应答速度。为此，使用将构成显示屏的半导体线路的薄膜晶体管(Thin film Transistor,TFT)的栅极(Gate)及源漏(Source Drain,S/D)区域由非以往的铬、铝及其合金的即阻抗较低的铜金属形成，而栅极电极运作时，增加源漏极之间的信道形成速度的方法。并且，为了提高上述铜金属膜与下部的玻璃基板或硅绝缘膜的粘接力，并抑制向硅膜的铜扩散，在上述铜金属膜的下部混用钛(Ti)、钼(Mo)、钛合金(Ti-alloy)、钼合金(Mo-alloy)等中间金属膜，由此，具有如下优点：可根据上述中间金属膜的厚度使得电子的移动速度发生变化，而能够控制电子的移动速度。并且，需去除上述中间金属膜的残渣，而在后续模块工艺时能够阻断因线路的短路引起的驱动不良等。将上述金属膜进行蚀刻而形成金属线的蚀刻液组合物，为了极大化工艺利润，需要蚀刻的金属线的刻蚀剖面优秀，基板的处理张数(竞争性)要多。因此，需要能够满足上述条件，并且，相比以往的产品收率(3,000ppm)更加优秀的组合物。

发明内容

发明要解决的技术问题

从而，本发明的目的为提供一种刻蚀剖面优秀的金属线蚀刻液组合物。本发明的另一目的为提供一种基板的处理张数(经时性)提高的金属线蚀刻液组合物。

解决问题的技术方案

为了实现上述目的，本发明提供一种金属线蚀刻液组合物，包括：氧化剂；胺类化合物；二元醇化合物；不包含氨基的唑类化合物；及水。

并且，本发明提供一种金属线蚀刻液组合物，包括：氧化剂；二元醇化合物；不包含氨基的唑类化合物；胺类化合物；蚀刻剂，包括一个以上选自由硫酸盐化合物、氟基化合物及其混合物形成的群的化合物；及水。

发明的效果

本发明的金属线蚀刻液组合物，在形成需选择性地蚀刻铜/钼或钛及铜合金/钼合金的双层膜及多层膜的铜金属膜的线路时，可获得较快的蚀刻工艺和优秀的锥度刻蚀剖面。并且，为了提高蚀刻液的竞争性，使得蚀刻液从铜离子稳定化，而提高生产收率。

附图说明

图1为测定蚀刻后截面的扫描电子显微镜图片。

具体实施方式

以下，参照附图更详细地说明本发明。

根据本发明的金属线蚀刻液组合物，是蚀刻铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)、铜合金(Cu-alloy)、钛合金(Ti-alloy)及钼合金(Mo-alloy)等金属膜而形成半导体线路的金属线，例如作为形成薄膜晶体管的栅极电极及源漏电极的组合物，包括氧化剂、胺类化合物、二元醇化合物及不包含氨基的唑类化合物及水。

所述氧化剂的作用是氧化金属膜，详细地，可使用过氧化氢(H₂O₂)，例如，根据下述反应式1将包含铜(Cu)的金属膜氧化及蚀刻，并且，根据下述反应式2，发生过氧化氢分解反应。所述氧化剂(过氧化氢)的含量是对于整体蚀刻液组合物，为5至25重量％,详细地，为10至25重量％,更详细地，为20至25重量％。在所述氧化剂的含量范围内可获得要得到的蚀刻速度，并且，能够防止过度地蚀刻，而以适当量蚀刻铜金属膜。

[反应式1]

M+H₂O₂→MO+H₂O