[发明专利]中子捕获治疗系统

权利要求书

1.一种中子捕获治疗系统，其特征在于：所述中子捕获治疗系统包括射束整形体、设置于射束整形体内的真空管，所述射束整形体包括射束入口、容纳所述真空管的容纳腔、邻接于所述容纳腔端部的缓速体、包围在所述缓速体外的反射体、设置在所述射束整形体内的辐射屏蔽和射束出口，所述真空管端部设有靶材，所述靶材与自所述射束入口入射的带电粒子束发生核反应以产生中子，所述中子形成中子射束，所述中子射束自射束出口射出并限定一根中子射束轴线，所述缓速体将自所述靶材产生的中子减速至超热中子能区，所述反射体将偏离的中子导回至所述缓速体以提高超热中子射束强度，所述辐射屏蔽用于屏蔽渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组织剂量，所述缓速体至少包括两个外直径不同的圆柱体状缓速体，所述缓速体具有靠近射束入口的第一端部和靠近射束出口的第二端部，所述靶材容纳在所述第一端部和所述第二端部之间。

2.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述缓速体包括靠近射束入口的第一缓速体和与第一缓速体紧密贴合且靠近射束出口的第二缓速体，所述第一缓速体至少包括两个外直径不同的圆柱体状缓速体，所述射束入口、所述缓速体和所述射束出口均沿着所述中子射束轴线延伸，所述靶材到所述射束出口的距离小于所述第一端部到所述射束出口的距离。

3.根据权利要求2所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述第一缓速体包括三个外直径不同的圆柱体状缓速体，所述第一缓速体包括靠近射束入口的第一缓速部、与第一缓速部紧密贴合的第二缓速部及与第二缓速部紧密贴合的第三缓速部，第一、第二、第三缓速部沿中子射束轴线方向依次排列，第一、第二、第三缓速部与第二缓速体的外直径分别为第一、第二、第三、第四外直径，第一外直径小于第二外直径，第二外直径小于第三外直径，第三外直径等于第四外直径。

4.根据权利要求3所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：第一缓速部具有靠近射束入口的第一前端面、靠近射束出口的第一后端面及第一外圆周面；第二缓速部具有与第一后端面紧密贴合的第二前端面、靠近射束出口的第二后端面及第二外圆周面；第三缓速部具有与第二后端面紧密贴合的第三前端面、靠近射束出口的第三后端面及第三外圆周面；第二缓速体具有与第三后端面紧密贴合的第四前端面、靠近射束出口的第四后端面及第四外圆周面，第一、第二、第三、第四前端面及第一、第二、第三、第四后端面之间相互平行且均与中子射束轴线垂直，穿过中子射束轴线的切面与第一外圆周面的交线与第二前端面垂直，穿过中子射束轴线的切面与第二外圆周面的交线与第三前端面垂直。

5.根据权利要求4所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：在穿过中子射束轴线的切面内，第一前端面与第一外圆周面相交得到第一交点，第二前端面与第二外圆周面相交得到第二交点，第三前端面与第三外圆周面相交得到第三交点，第一、第二、第三交点位于同一条直线上。

6.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述容纳腔与所述真空管之间填充反射补偿体，所述反射补偿体为铅或Al或铁氟龙或C。

7.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述第一端部沿着所述中子射束轴线往所述射束入口的方向突出于所述靶材，所述第二端部沿着所述中子射束轴线往所述射束出口的方向突出于所述靶材。

8.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述反射体在中子射束轴线的两侧均凸出缓速体，所述容纳腔包括由反射体围设而成的的反射体容纳腔及自反射体容纳腔延伸由缓速体围设而成的缓速体容纳腔，所述真空管包括容纳在反射体容纳腔内的延伸段及自延伸段延伸并容纳在缓速体容纳腔内的嵌入段，所述靶材设于所述嵌入段的端部。

9.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述中子捕获治疗系统还包括至少一个冷却装置，所述射束整形体内设有至少一个容纳冷却装置的容纳管道，所述冷却装置与容纳管道的内壁之间填充有铅合金或铝合金。

10.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述中子捕获治疗系统还包括设于射束入口并与射束整形体紧密贴合设置的屏蔽体。