[发明专利]石墨烯复合薄膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种石墨烯复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

将衬底上的石墨烯与转移基体贴合，得到转移基体/石墨烯/衬底；

将所述转移基体/石墨烯/衬底上的衬底去除的同时在所述石墨烯的表面引入第一掺杂剂，得到转移基体/掺杂有第一掺杂剂的石墨烯；和

将所述转移基体/掺杂有第一掺杂剂的石墨烯上的石墨烯与第一目标基体贴合，并除去转移基体，得到掺杂有第一掺杂剂的石墨烯/第一目标基体；

在所述掺杂有第一掺杂剂的石墨烯/第一目标基体上的石墨烯一面贴合第二目标基体；

在所述掺杂有第一掺杂剂的石墨烯/第一目标基体上的石墨烯一面贴合第二目标基体之前，在所述第二目标基体表面引入第二掺杂剂，将所述掺杂有第一掺杂剂的石墨烯/第一目标基体上的石墨烯表面贴合所述第二掺杂剂，得到第二目标基体/掺杂有第一掺杂剂和第二掺杂剂的石墨烯/第一目标基体；

在掺杂有第一掺杂剂的石墨烯/第一目标基体上的石墨烯一面丝印银浆，对所得印有银浆并掺杂有第一掺杂剂的石墨烯/第一目标基体进行高温处理；

所述第二掺杂剂为金属氯化物、咪唑类化合物及其衍生物或三唑类化合物及其衍生物中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述高温处理的温度为125-145℃，处理时间为0.5-2小时。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述高温处理的温度为135℃，处理1小时。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括图案化银浆和石墨烯。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二目标基体引入所述第二掺杂剂的方法为浸泡、喷涂或旋涂。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，其中所述第二目标基体为封装材料，所述封装材料包括：TPU、防水布、防爆膜或OCA光学胶。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二目标基体的厚度为10~150μm。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第二目标基体的厚度为25~125μm。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二掺杂剂的浓度为10mmol/L~60mmol/L。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为Pt、Ni、Cu、Co、Ir、Ru、Au、Ag、Fe、Mo金属或其合金之一或两种以上的复合材料。

11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述转移基体为PET硅胶保护膜、PET丙烯酸保护膜、PMMA硅胶保护膜、PMMA丙烯酸保护膜、PI硅胶保护膜或PI丙烯酸保护膜。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述转移基体的剥离力为（1~20）g/25mm。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述转移基体的剥离力为15g/25mm。

14.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述除去转移基体/石墨烯/衬底上的衬底的方法为化学刻蚀方法，其中所述化学刻蚀方法的具体操作方法为：将所述转移基体/石墨烯/衬底浸入刻蚀液中进行刻蚀，其中所述刻蚀液中刻蚀剂为过硫酸铵、氯化铁、氯化铜或盐酸双氧水中的至少一种。

15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀液中刻蚀剂的浓度为0.4mol/L~1.5mol/L。

16.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀液中刻蚀剂为盐酸双氧水。