[发明专利]发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.发光二极管，依次包括：N型导通层、发光层和P型导通层，其特征在于：所述N型导通层分布有富Al点，其通过控制所述N型导通层的生长条件形成，具体如下：生长温度为900℃以上，V/III的比率为200以上，TMA/(TMG+TMA)气相比为10%以上。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光层的发光波长为360~420nm。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述富Al点的密度为1×10⁷ /cm²以上。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述富Al点的高度为1~10nm。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述P型导通层的表面粗糙度为1nm以下。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：包括位于所述N型导通层和发光层之间的超晶格层和位于所述发光层与P型导通层之间的P型电子阻挡层，所述超晶格层由周期结构堆叠而成，其中至少一个周期结构包含第一子层、第二子层和第三子层，其中所述第一子层的能隙Eg1、第二子层的能隙Eg2和第三子层的能隙Eg3的关系为Eg1<Eg2<Eg3，且第三子层的能隙Eg3大于所述电子阻挡层的能隙Eg4。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述超晶格层的每个周期结构包含第一子层、第二子层和第三子层。

8.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述超晶格层的至少三个周期包括所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层。

9.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述超晶格层的至少一个周期结构为InGaN/AlGaN/AlN、GaN/AlGaN/AlN或者InGaN/GaN/AlN。

10.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述超晶格的周期结构数为3~30。

11.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述周期结构为InGaN/AlGaN/AlN，其中第一子层的In组分为0~20%，第二子层的Al组分的取值范围为0~30%。

12.发光二极管的制作方法，包括依次形成N型导通层、发光层和P型导通层，其特征在于：通过控制所述N型导通层的生长条件从而在N型导通层形成富Al点，具体如下：生长温度为900℃以上，V/III比率为200以上，TMA/(TMG+TMA)气相比为10%以上，所述富Al点的密度为1×10⁷ /cm²以上。