[发明专利]N型硅片硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种N型硅片的硼扩散方法，其特征在于，包括：

将制绒清洗后的硅片放入扩散炉管内，升温至第一温度；

进行第一次沉积，在所述硅片表面形成第一硼扩散；

升温至第二温度，并进行推结，所述第二温度高于所述第一温度；

进行第二次沉积，在所述硅片表面形成第二硼扩散；

退火降温，并将所述硅片从所述扩散炉管内取出；

其中，所述硅片表面上，所述第二硼扩散的掺杂浓度大于所述第一硼扩散的掺杂浓度，且所述第二硼扩散的深度小于所述第一硼扩散的深度。

2.根据权利要求1所述的N型硅片的硼扩散方法，其特征在于，所述进行第一次沉积，在所述硅片表面形成第一硼扩散，具体包括：

往所述扩散炉管内通入氮气、氧气和携硼源氮气，进行第一次沉积，所述第一次沉积时间为20min-60min，包括端点值；

其中，所述氮气的气体流量为9000sccm；

氧气的气体流量为50sccm-100sccm，包括端点值；

所述携硼源氮气气体流量为50sccm-150sccm，包括端点值。

3.根据权利要求2所述的N型硅片的硼扩散方法，其特征在于，所述进行第二次沉积，在所述硅片表面形成第二硼扩散，具体包括：

往所述扩散炉管内通入氮气、氧气和携硼源氮气，进行第二次沉积，所述第二次沉积时间为10min-20min，包括端点值；

其中，所述氮气的气体流量为9000sccm；

氧气的气体流量为100sccm-200sccm，包括端点值；

所述携硼源氮气气体流量为200sccm-400sccm，包括端点值。

4.根据权利要求1所述的N型硅片的硼扩散方法，其特征在于，所述将制绒清洗后的硅片放入扩散炉管内，升温至第一温度，具体包括：

将制绒清洗后的硅片放入扩散炉管内；

通入氮气，氮气气体流量为9000sccm；

按照升温速率为10℃/min的速率，升温至850℃-900℃，包括端点值。

5.根据权利要求4所述的N型硅片的硼扩散方法，其特征在于，所述升温至第二温度，并进行推结，所述第二温度高于所述第一温度，具体包括：

通入氮气，所述氮气气体流量为9000sccm；

按照升温速率为10℃/min的速率，升温至950℃-1000℃，包括端点值；

并通入氮气和氧气30min-70min进行推结，包括端点值；

其中，氮气气体流量为9000sccm，氧气气体流量为500sccm-1000sccm，包括端点值。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的N型硅片的硼扩散方法，其特征在于，所述退火降温，并将所述硅片从所述扩散炉管内取出，具体包括：

通入氮气进行降温，氮气气体流量为9000sccm，降温速率为10℃/min；

待所述扩散炉管内温度降至800℃，将所述硅片取出。

7.一种晶体硅太阳能电池的制作方法，包括硼扩散步骤，其特征在于，所述硼扩散步骤采用权利要求1-6任意一项所述的硼扩散方法。

8.一种晶体硅太阳能电池，其特征在于，采用权利要求7所述的晶体硅太阳能电池制作方法制作形成。