[发明专利]Fe基纳米晶合金、使用其的电子组件和制造其的方法有效
| 申请号： | 201711348229.4 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108220768B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 权相均;郑昌烈;郑钟镐;赵中英 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | C22C38/02 | 分类号： | C22C38/02;C22C38/16;C22C38/12;C22C38/14;C21D6/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 包国菊;金光军 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | fe 纳米 合金 使用 电子 组件 制造 方法 | ||
1.一种Fe基纳米晶合金，所述Fe基纳米晶合金由FexBySizMαAβ表示，其中，
M是从由Nb、V、W、Ta、Zr、Hf、Ti和Mo组成的组选择的一种或更多种元素，
A是从由Cu和Au组成的组选择的一种或两种元素，
x、y、z基于原子百分比分别满足：75％≤x≤81％、7％≤y≤9.5％以及4％≤z≤12％，
α和β分别满足1.5at％≤α≤3at％和0.1at％≤β≤1.5at％，并且
在差示扫描量热法曲线图中，所述Fe基纳米晶合金在一次结晶能带中的第一峰具有双峰形状，并且所述Fe基纳米晶合金还具有第二峰。
2.根据权利要求1所述的Fe基纳米晶合金，其中，16at％≤y+z≤22at％。
3.根据权利要求1所述的Fe基纳米晶合金，其中，所述Fe基纳米晶合金具有1.4T或者更大的饱和磁通密度。
4.根据权利要求1所述的Fe基纳米晶合金，其中，M是Nb。
5.根据权利要求1所述的Fe基纳米晶合金，其中，A是Cu。
6.根据权利要求1所述的Fe基纳米晶合金，对所述Fe基纳米晶合金进行热处理，所述热处理包括以50K/min或更大的加热速率将温度从室温升高至500℃至600℃并保持0.5小时至1.5小时。
7.一种电子组件，包括：
线圈部；以及
磁性片，设置为与所述线圈部相邻，
其中，所述磁性片包含由式FexBySizMαAβ表示的Fe基纳米晶合金，其中，
M是从由Nb、V、W、Ta、Zr、Hf、Ti和Mo组成的组选择的一种或更多种元素，
A是从由Cu和Au组成的组选择的一种或两种元素，
x、y、z基于原子百分比分别满足：75％≤x≤81％、7％≤y≤9.5％以及4％≤z≤12％，
α和β分别满足1.5at％≤α≤3at％和0.1at％≤β≤1.5at％，并且
在差示扫描量热法曲线图中，所述Fe基纳米晶合金在一次结晶能带中的第一峰具有双峰形状，并且所述Fe基纳米晶合金还具有第二峰。
8.根据权利要求7所述的电子组件，其中，在所述式中，16at％≤y+z≤22at％。
9.根据权利要求7所述的电子组件，其中，所述Fe基纳米晶合金具有1.4T或更大的饱和磁通密度。
10.根据权利要求7所述的电子组件，其中，在所述式中，M是Nb。
11.根据权利要求7所述的电子组件，其中，在所述式中，A是Cu。
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