[发明专利]系统级封装抗静电转接板

权利要求书

1.一种系统级封装抗静电转接板(100)，其特征在于，包括：硅基衬底(101)、N个TSV孔(102)、N个二极管(103)、隔离沟槽(104)、金属互连线(105)、凸点(106)及钝化层(107)，其中，N为大于或等于1的任意自然数；

所述N个TSV孔(102)与所述N个二极管(103)沿横向依次间隔地设置于所述硅基衬底(101)中；

所述隔离沟槽(104)分别设置于所述N个二极管(103)四周，为环形结构；

所述N个TSV孔与隔离沟槽的深度一致；

所述金属互连线(105)设置于所述N个TSV孔(102)与所述N个二极管(103)表面以使所述N个TSV孔(102)与所述N个二极管(103)形成串行连接，所述金属互连线为螺旋状的铜互连线；

所述凸点(106)设置于第一TSV孔(102)与第N二极管(103)下表面；

所述钝化层(107)设置于所述硅基衬底(101)上下表面，其中，

所述硅基衬底(101)的厚度为450～550μm，掺杂浓度为1×10¹⁴～1×10¹⁷cm^-3；

所述二极管(103)的制备过程包括：

(1)、采用干法刻蚀工艺，刻蚀所述硅基衬底(101)，形成器件沟槽；

(2)、采用化学气相淀积工艺，在所述器件沟槽中淀积第一多晶硅层，并引入第一掺杂气体对所述第一多晶硅层进行原位掺杂，形成N+多晶硅层，其中，N+多晶硅层的掺杂浓度为3×10¹⁷～1×10¹⁹cm^-3；

(3)、采用化学气相淀积工艺，在所述器件沟槽中淀积第二多晶硅层，并引入第二掺杂气体对所述第二多晶硅层进行原位掺杂，形成N-多晶硅层，其中，N-多晶硅层的掺杂浓度为3×10¹⁴～1×10¹⁶cm^-3；

(4)、采用化学气相淀积工艺，在所述器件沟槽中淀积第三多晶硅层，并引入第三掺杂气体对所述第三多晶硅层进行原位掺杂，形成P+多晶硅层，其中，P+多晶硅层的掺杂浓度为3×10¹⁷～1×10¹⁹cm^-3；

其中，所述P+多晶硅层、所述N-多晶硅层及所述N+多晶硅层形成所述二极管(103)；

所述隔离沟槽(104)和所述TSV孔(102)的制备过程包括：

(a)采用深度反应离子刻蚀工艺，刻蚀所述硅基衬底(101)，分别形成所述TSV孔(102)与所述隔离沟槽(104)，其中，所述隔离沟槽(104)环绕所述二极管(103)四周，为环状结构，以隔离所述二极管(103)；

(b)采用等离子增强化学气相淀积工艺，在所述隔离沟槽(104)和所述TSV孔(102)内壁淀积二氧化硅材料作为绝缘层；

(c)采用湿法刻蚀工艺，刻蚀所述绝缘层以使所述隔离沟槽(104)和所述TSV孔(102)的内壁平整，以防止所述TSV孔(102)侧壁突起形成电场集中区域。

2.根据权利要求1所述的转接板(100)，其特征在于，所述N个TSV孔(102)中填充铜材料。

3.根据权利要求1所述的转接板(100)，其特征在于，所述N个二极管(103)的阳极掺杂浓度为3×10¹⁷～1×10¹⁹cm^-3。

4.根据权利要求1所述的转接板(100)，其特征在于，所述N个二极管(103)的阴极掺杂浓度为3×10¹⁷～1×10¹⁹cm^-3。

5.根据权利要求1所述的转接板(100)，其特征在于，所述金属互连线(105)为螺旋状结构。

6.根据权利要求1所述的转接板(100)，其特征在于，所述金属互连线(105)为铜材料。

7.根据权利要求1所述的转接板(100)，其特征在于，所述凸点(106)为铜材料。

8.根据权利要求1所述的转接板(100)，其特征在于，所述钝化层(107)为二氧化硅材料。