[发明专利]空穴注入材料及其制备方法和QLED器件

权利要求书

1.一种空穴注入材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供锌盐和磷酸盐；

将所述锌盐和磷酸盐溶于有机溶剂中，在第一碱性条件下进行第一加热处理，得磷掺杂氧化锌晶体溶液，所述第一碱性条件为氢氧根离子与锌离子的摩尔量比为(1.8-2.5)：1；

提供脂肪酸，将所述脂肪酸加入所述磷掺杂氧化锌晶体溶液中，在第二碱性条件下进行第二加热处理得前驱体溶液；其中，所述第二碱性条件的pH为8-9；

将所述前驱体溶液置于基片上，进行退火处理得所述空穴注入材料。

2.如权利要求1所述的空穴注入材料的制备方法，其特征在于，所述锌盐中的锌离子与所述磷酸盐中的磷离子的摩尔比为1：(0.001-0.1)。

3.如权利要求1所述的空穴注入材料的制备方法，其特征在于，所述脂肪酸与所述锌盐中的锌离子的摩尔比为(2-3):1。

4.如权利要求1所述的空穴注入材料的制备方法，其特征在于，所述第一碱性条件的pH为12-13。

5.如权利要求1所述的空穴注入材料的制备方法，其特征在于，所述第一碱性条件和所述第二碱性条件的pH由碱液提供，所述碱液选自氨水、氢氧化钾溶液、氢氧化纳溶液、乙醇胺溶液、乙二醇溶液、二乙醇胺溶液、三乙醇胺溶液和乙二胺溶液中的至少一种。

6.如权利要求1-5任一项所述的空穴注入材料的制备方法，其特征在于，所述锌盐选自醋酸锌、硝酸锌、氯化锌、硫酸锌和二水合乙酸锌中的至少一种；和/或

所述磷酸盐选自磷酸二氢盐、磷酸一氢盐和磷酸正盐中的至少一种；和/或

所述脂肪酸选自饱和脂肪酸和/或非饱和脂肪酸；和/或

所述有机溶剂选自乙二醇甲醚、丙二醇甲醚、异丙醇、乙醇、丙醇、丁醇和丙酮中的至少一种。

7.一种空穴注入材料，其特征在于，包括p型ZnO，所述p型ZnO为磷掺杂ZnO纳米材料，且所述p型ZnO表面修饰有脂肪酸，所述空穴注入材料由权利要求1-6任一项所述的空穴注入材料的制备方法制得。

8.一种QLED器件的制备方法，所述QLED器件为正置型QLED器件，且所述QLED器件包括空穴注入层，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

提供基板，所述基板上设置有阳极；

利用权利要求1-6任一项所述的制备方法在所述阳极上制备空穴注入材料，形成所述空穴注入层。

9.一种QLED器件的制备方法，所述QLED器件为反置型QLED器件，且所述QLED器件包括空穴注入层，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

提供基板，所述基板上设置有量子点发光层；

利用权利要求1-6任一项所述的制备方法在所述量子点发光层上制备空穴注入材料，形成所述空穴注入层。

10.一种QLED器件，其特征在于，所述QLED器件由权利要求8或9所述的QLED器件的制备方法制得。