[发明专利]发光层形成用组合物和有机电致发光器件的制造方法有效
申请号: | 201711349623.X | 申请日: | 2012-07-10 |
公开(公告)号: | CN107994062B | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 田中太;今田一郎;五郎丸英贵 | 申请(专利权)人: | 三菱化学株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 形成 组合 有机 电致发光 器件 制造 方法 | ||
1.一种发光层形成用组合物,其是有机电致发光器件的发光层形成用组合物,含有电荷传输材料、发光材料和溶剂,
该组合物所含的电荷传输材料和发光材料的总数为5种以上,并且该组合物所含的电荷传输材料的总数为3种以上,
所述电荷传输材料以及所述发光材料的分子量为10000以下,
在所述组合物中含有3种以上电离电位和电子亲和能中的至少一者的值不同的电荷传输材料,
其中,所述电荷传输材料包含具有空穴传输性的单元(空穴传输单元)的空穴传输材料以及具有电子传输性的单元(电子传输单元)的电子传输材料,
其中,所述电子传输单元为具有在下述(b)组中示出的环的衍生物的有机化合物,
(b)组
其中,上述(b)组所含的环均为氮原子的邻位和对位全部被芳香环基取代的环,
所述电荷传输材料包含通式(A)表示的电子传输材料,
在上述通式(A)中,Hetero结构表示下述结构式(A-1)、(A-2)和(A-3)中的任一者,Xa1、Xa2、Ya1、Ya2、Za1和Za2各自独立地表示可以具有取代基的碳数6~30的芳香族烃基、或可以具有取代基的碳数3~30的芳香族杂环基,Xa3、Ya3和Za3各自独立地表示氢原子、可以具有取代基的碳数6~30的芳香族烃基、或可以具有取代基的碳数3~30的芳香族杂环基,所述芳香族烃基或芳香族杂环基可以具有的取代基为碳数1~20的饱和烃基、碳数6~25的芳香族烃基、碳数3~20的芳香族杂环基、碳数12~60的二芳基氨基、碳数1~20的烷基氧基、碳数3~20的(杂)芳氧基、碳数1~20的烷基硫基、碳数3~20的(杂)芳基硫基、氰基,
并且,存在1组以上满足下述关系的组合:将所述组合物所含的任意的电荷传输材料选出两种时,该电荷传输材料的电离电位之差和电子亲和能之差中的至少一者为0.30eV以下。
2.根据权利要求1所述的发光层形成用组合物,其中,所述空穴传输单元为具有在下述(a)组中示出的环的衍生物的有机化合物,
(a)组
上述(a)组中的环结构可以具有取代基。
3.根据权利要求1或2所述的发光层形成用组合物,其中,所述组合物所含的电荷传输材料的总数为4种以上。
4.根据权利要求1所述的发光层形成用组合物,其中,存在2组以上满足下述关系的组合:将所述组合物所含的任意的电荷传输材料选出两种时,该电荷传输材料的电离电位之差和电子亲和能之差中的至少一者为0.30eV以下。
5.根据权利要求1所述的发光层形成用组合物,其中,存在2组以上满足下述关系的组合:将所述组合物所含的任意的电荷传输材料选出两种时,该电荷传输材料的电离电位之差和电子亲和能之差中的至少一者为0.20eV以下。
6.根据权利要求1所述的发光层形成用组合物,其中,存在3组以上满足下述关系的组合:从组合物所含的任意的电荷传输材料和发光材料中选出的两种的材料的电离电位之差和电子亲和能之差中的至少一者为0.20eV以下。
7.根据权利要求1所述的发光层形成用组合物,其中,在通式(A)表示的电子传输材料中,Xa1、Xa2、Ya1、Ya2、Za1和Za2中的至少一者为1,2-亚苯基或1,3-亚苯基。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的